实验七频率调制实验.docVIP

实验七 频率调制实验 实验原理 频率调制的一般原理 频率调制，就是用低频调制信号去控制高频载波的频率，使高频载波的振幅不变，而瞬时频率与调制信号的强度成线性关系。 设调制信号为： 载波信号为： 调频时，载波信号的瞬时角频率随调制信号成正比例变化，即： （8—1） 瞬时相位为： （8—2） 因此，可得调频波（FM波）的表达式为： （8—3） 式中：称为调频波的最大角频偏。 称为调频波的调频指数。可以大于1，愈大抗噪声性能愈好，但要占据更大的信号带宽。 我们已经知道，LC振荡器的振荡频率，如果能使振荡器回路的L或C受调制信号控制而变化，则振荡频率就会受调制信号控制而变化。只要L或C与成正比，从而实现线性调频。 调频信号的产生方法有直接调频法和间接调频法，本实验研究最常用的变容二极管直接调频法。 变容二极管直接调频 变容二极管是单向导电器件。在反偏时，它的PN结呈现一个与反向偏压U有关的结电容，利用其特性可使振荡频率随外加电压而变化，实现调频。与v的关系是非线性的，所以变容二极管电容属非线性电容。受反向偏压得控制特性曲线，简称—v曲线，如图8—1所示。 变容二极管结电容与外加电压的关系可表示为： （8—4） 其中是变容二极管在零偏时的电容值；是变容二极管的势垒电位差（硅管约为0.7V，锗管约为0.2V—0.3V）；是电容变化系数，通常；v是外加反向偏压的绝对值，包括静态工作电压和调制信号电压，即： 。 设调制信号，当变容二极管作为回路总电容全部接入振荡回路后，振荡频率可表示为： （8—5） 其中，表示结电容调制深度的调制指数，称为电容调制度， 由（8—5）式可见，只有当时，才能实现线性调频。在时，调频过程将产生非线性失真。不过，当较小，且合适的话，调频非线性失真很小。 对调频电路的性能要求主要有调制线性、最大频偏、调制灵敏度及中心频率稳定度等。前三项可由静态频率调制特性—v曲线上估测出来。 3、实验电路说明 用变容二极管构成的频率调制实验电路如图8—2所示。在实验箱中为01、02单元电路。 比较图2—2，可见，频率调制实验电路是在电容反馈LC振荡器实验电路的基础上插入变容管及其偏置电路（02单元）组成的，变容二极管作为回路总电容全部接入振荡回路，改变2DW1可得到不同的直流偏置电压；2R1为隔离电阻，用以减小偏置电路及外界测量仪器的内阻对变容二极管振荡回路的影响；低频调制信号电压由2/2端输入，通过高频扼流圈2RFC加到变容二极管两端，2RFC对低频调制信号呈现低阻抗，宜于低频信号输入，而对载频呈高阻抗，以减小信号源的第内阻对振荡回路的影响；2C2为高频旁路电容，它对低频调制信号呈高阻抗。基本振荡电路（01单元）的说明见实验二。 4、—v特性测量 —v特性可以用替代法测量。方法如下： 第一步，先不加变容二极管电路，测量此时的振荡频率，由图8—2，振荡器的振荡频率为： （8—6） 式中L即为1L1；=（1C2、1C3、1C4总串联电容）+1C5+C分布。 第二步，与回路电容1C5并联一个已知电容，=1C6，测量此时的频率。则有： （8—7） 由（8—6）、（8—7）可求出： （8—8） 第三步，去掉，加上变容管及其偏置电路，设相应于v的结电容为，测量此时的振荡频率。则有： （8—9） 由式（8—6）、（8—9），可求出： （8—10） 改变2DW1，测量出不同v时的；根据式（8—8）和（8—10），计算出相应的，从而可得到变容二极管的—v曲线。 5、频率调制灵敏度的估测 频率调制灵敏度指单位调制电压所引起的频偏。若调频电路工作在线性调制状态，则频率调制灵敏度为： （8—11） 根据 可知，当电容变化C时，频率变化量为 （8—12） 若定义变容器在静态工作点处—v特性曲线的斜率为： （8—13） 以调制信号电压幅度代替，则 （8—14） 将（8—14）代入（8—12），则得： 因此， （8—15） 将（8—8）代入（8—15），得 （8—16） 可见，由测得的—v曲线，求出处的斜率，既可由（8—16）式计算出频率调制灵敏度。 实验仪器 双踪示波器 XJ4330 或 HH4330 数字频率计 SP3165A 或 NFC—100 直流稳压电源 万用表 实验箱 实验内容 准备 断开1/2—3/1、1/2—3/2及1K4；接通1/1—2/1；示波器和频率计接于1B点检测。接通01、02单元电源。 调整2DW1，使2A点电压；选取合适的1K1、1K2位置，并适当调整1C5、1DW1，使1B点波形较好，振荡频率约为4MHz。 （