AlGaInPLEDs..docVIP

AlGaInP-LEDs 李永富 LED(发光二极管)、PD(二极管探测器)最基本的结构相同，都是由PN结组成，为提高器件性能，二者往往都会引入双异质结构及有源层，形成PIN型结构，LED电注入载流子的自发辐射复合以及二极管探测器光生载流子的产生都在有源层内进行，P及N层材料起到窗口作用，有源层与异质材料层形成的势垒又起到对载流子的束缚作用，有利于载流子的辐射复合(对于LED)以及光生载流子的收集与信号输出(对于PD)。但是，二极管探测器属于零偏压或反向偏压、小信号工作器件，器件结构相对简单，而LED，特别是高亮度LED，属于高注入大电流工作器件，因此LED对于低阻电极接触以及电极形状的设计要求更高，有时需要引入一些特殊的接触层，如current spreading layer及current blocking layer。另外，对于高亮度LED，光的输出是影响其发光效率的最重要因素之一，需要采用一些特殊结构以提高其光输出效率，如高反射DBRs层(减少衬底的吸收)、透明衬底、共振腔结构、输出面加工等等，使得LED的结构更加复杂，LED器件的结构设计是一件极富挑战有意义的工作。 目前，在560nm(黄绿光)~650nm(红光)波段，(AlxGa1-x)yIn1-yP体系材料是唯一一种技术上可行的直接禁带半导体材料，因此在该波段内可望获得较高的内部效率，很适用于发光器件的制备。 AlG