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- 2016-12-29 发布于浙江
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8.4.3 紫外到可见光的发射谱 单晶TiO2发光:低温下,紫外到可见光范围有一个很锐的发光峰(412nm)和一个很宽的发光带(450~600nm) 纳米TiO2的发光 纳米TiO2的发光的现象与常规TiO2粗晶和非晶不同:经硬酯酸包敷的纳米TiO2粒子在室温下呈现光致发光现象,发光带的峰位在540nm,该发光现象是由大量表面束缚激子所致,由纳米TiO2粒子形成的纳米固体在室温下不发光 非晶TiO2薄膜发光:能隙约为4.0eV,大于常规TiO2(约3.0eV) 多晶薄膜发光:77K下有一个很宽的荧光带(约在520nm处),室温下消失 * 8.4.3 紫外到可见光的发射谱 图8.43 单晶TiO2(金红石)在4.8K时的发光谱激发波长为380nm 低温下,单晶TiO2在紫外到可见光范围有一个很锐的发光峰(412nm)和一个很宽的发光带(450~600nm) * 8.4.3 紫外到可见光的发射谱 量子限域效应 正常情况下纳米半导体材料界面中的空穴浓度比常规材料高得多 同时由于组成纳米材料的颗粒尺寸小,电子运动的平均自由程短,空穴约束电子形成激子的概率比常规料高得多 结果导致纳米材料含有激子的浓度较高,颗粒尺寸小,形成激子的概率越大,激子浓度越高 由于这种量子限域效应,在能隙中靠近导带底形成一些激子能级 关于电子跃迁的选择定则问题 纳米结构材料中存在大量原子排列混乱的界面,平移周期在
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