《纳米结构与材料教学课件》第七章.pptVIP

图7.30 不同温度退火纳米非晶氮化硅的g因子变化 随热处理温度的提高，g因子下降。当退火温度低于1300°C时，g2.003 7.10 电子自旋共振的研究 纳米非晶氮化硅键结构的ESR研究 * 图7.31 不同温度热处理纳米非晶氮化硅的电子自旋浓度与温度关系 当温度Ta1073K时，自旋浓度随退火温度升高而下降； 当温度Ta1073K时，随退火温度升高自旋浓度又有所回升 纳米非晶氮化硅键结构的ESR研究 7.10 电子自旋共振的研究 * Si N N N Si Si Si Si Si H H H 典型的Si悬键，用Si-SiN3表示，对应的g=2.003 一种Si悬键，用Si-Si3表示，对应的g=2.005 Si悬键的第三种形式，用Si-SiH3表示，对应的g=2.0055 Si Si N N的悬键，用 N-NSi2表示，g=2.0057 通过ESR信号的g因子可判断纳米非晶氮化硅中悬键的种类： 7.10 电子自旋共振的研究 纳米非晶氮化硅键结构的ESR研究 * 图7.33 纳米非晶氮化硅样品在1400?C, 1atm N2下烧结4h后的ESR谱 当T＝1673K时ESR曲线变得很对称，g＝2. 0031表明只存在Si—SiN3键 7.10 电子自旋共振的研究 综上所述： 纳米非晶氮化硅悬键数量很大，比微米量级氮化硅高2～3个数量级 纳米非晶氮化硅存在几种类型的悬键，在