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实习报告——MEVVA源离子注入技术 一、实习报告名称 (一级标题，黑体，三号) MEVVA源离子注入技术 二、实习起止时间 2008年9月20日至2008年10月10日 三、实习地点 北京师范大学低能和物理研究所 四、实习内容（含原理简介） 4.1 MEVVA源离子注入技术发展及介绍 4.1.1 离子注入技术的发展 离子束技术是一项不断发展和完善的新型技术,它的应用范围非常广泛,加工的对象种类繁多又千变万化,几乎包括了整个材料科学的研究对象。这项技术的不断发展和完善,推动了材料科学本身的发展,在基础学科的研究上取得了许多新成果,在国民经济和国防上具有巨大的经济效益。在20世纪50年代美国贝尔实验室的RusellOhl首先将该技术用于改善半导体的掺杂特性。自那之后，尤其是60年代以来，离子注入在基础理论和应用研究等诸多领域都获得了飞速发展，取得令人瞩目的成果。 70年代中期发展起离子束材料改性,由于开发了强束流氮离子注入技术,在80年代中期开始走向一定规模的工业生产阶段。现在已发展到可以在各种基体材料中注入差不多所有元素的离子，离子注入已经成为材料表面改性的最重要的方法。 4.1.2 离子注入技术简介 1、强束流氮离子注入 为了材料改性的需要,英国哈威尔原子能研究中心的Freeman教授等人研制出强束流氮离子注入机，束流强度可达50mA。不采用质量分离器，因为通入离子源气体为高纯氮,引出的离子也是高纯的氮离子束，束流直径可达到1m。 2、强流金属离子注入 MEVVA源属于强金属宽束离子源,其基本原理是利用触发器触发阴极引起阴极和阳极间弧光放电,从而将阴极材料蒸发到放电室中,被蒸发的阴极原子在等离子放电过程中被电离而形成正离子,等离子在磁场的作用下可以减少离子在室壁上的损失。正离子通过阳极和多孔的引出极而形成较宽的金属离子束,再经加速电压加速后注入到靶材表面。 3、浸没离子注入 将注入的工件置于等离子体中加上负电位,于是等离子体中的正离子则奔向工件而注入到工件表面,这种注入方式称为浸没离子注入。这种注入的特点是全方位离子注入,可加工复杂的工件。如果工件上加上负脉冲电位,那么注入离子的能量将增加。 4.1.3 离子注入技术的特点 离子注入过程是先将预先选择的元素的原子电离成离子，再经过电场加速，使其获得若干千电子伏特的能量(通常为20～50okeV)，然后将其引入到固体表面。与其它表面改性方法相比，离子注入具有以下特点:[1] 1) 离子注入是非热平衡过程。离子注入是将经加速器加速后具有一定能量的离子注入到固体表面的物理过程，不受热平衡条件的限制，原则上可以将任何一种元素在各种温度条件下注入到任意的靶材料中，而且不受固溶度的限制，这一特性为发展新材料提供了一种全新而独特的手段。 2) 离子注入不会引起靶材料的变形。表面强化对提高金属材料的使用性能是至关重要的，但大部分的表面强化过程都需要在一定高温条件下进行，变形是不可避免的，由于离子注入可以在低温和常温下进行，因此可以实现对金属材料的表面超精强化。另外强化层与基体无明显界面(注入离子与基体原子级混合)，结合力大大提高。 3) 离子注入是一种改变材料表面性质的高度可控技术。通过自由地调整注入过程中的两个独立参量注入能量和剂量，可准确地控制注入元素在靶材料中的浓度分布和注入深度，加上离子注入极容易实现控制装置的自动化，保证了表面改性处理的精度和重现性。 4) 高能量的入射离子能够穿透一定厚度的掩蔽膜(如硅半导体表面的膜)进行注入，实现埋层注入，这对于制作高质量的半导体器件是十分有利的。 4.1.4 MEVVA源离子注入机及相关研究 文本框: (a)结构示意图 (b)实物图 MEVVA源的结构和实物图 美国布朗(Brouwn)教授在1985年发表了金属蒸发真空弧离子源(MEVVA)的研究结果，获得了当年的美国100项研究成果奖。从发明到现在的广泛研究，MEVVA离子源发展逐步成熟， 稳定工作引出束流达50mA以上，束斑直径达500mm以上。我国在MEVVA离子源研究及其工业应用方面处在国际先进水平。1998年世界上首家以MEVVA离子源技术加工的民用企业在我国出现，并取得良好经济效益，这是高技术成果产业化的成功范例，也说明MEVVA离子源技术在材料表面加工上拥有潜在的巨大优势。[2] 。 MEVVA 离子源的工作原理： MEVVA 离子源包括金属等离子体形成区和金属离子束形成区两部分。前者由阴