半导体压敏电阻器精选.ppt

3.4.2相分布 ZnO陶瓷半导体的相分布问题，不同研究者有着不同的看法，归纳起来，前后大致可分如下面两种观点。 （1）晶界相的连续分布图象 这一观点认为，ZnO晶粒构成陶瓷半导体的主晶相，而富Bi相则形成连续的三维网络，完全包裹ZnO晶粒，尖晶石相和焦绿石相相继地分布在富Bi相中，这样，富Bi相、尖晶石相和焦绿石相一起构成一连续的晶界 层，其厚度约在200～2000?之间，这从富Bi液相完全润湿了ZnO晶粒，从而促进烧结的角度看，这种连续分布图象符合上述各相组成的作用，但随着新的显微技术和分析手段的发展与应用，这种分布图象已不断为实验结果所否认。 （2）晶界相的非连续分布图象 通过俄歇电子频谱分析和高分辨力电子显微镜的观测，大多数ZnO晶粒并没有晶界相存在。上述各相组成主要分布在3～4个晶粒的交角处，并没有完全包裹ZnO晶粒。 多数晶粒是自相接触，它们仅被晶粒边界所分隔，观测到的这种晶粒边界的宽度在 20?左右，这样窄的晶界是不足以形成分离相的，它们只起了表面态的作用，由此就造成这样的一种分布图象，晶界相主要分布在3～4个晶粒的交接处，因此是不连续的；富Bi层处于大多数ZnO晶粒之间，对非线性特性起着重要的作用。 3.5 ZnO压敏电阻器的性能特点 1．具有优良的非线性特性 ZnO压