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第一章 半导体器件 一、半导体基础知识 N型半导体: 在本征半导体中加入5价元素。 P型半导体: 在本征半导体中加入3价元素 自由电子是多子。 空穴是多子。 二、半导体二极管 1、二极管的单向导电性 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –25 –50 I / mA U / V 正向特性 死区电压 击穿电压 U(BR) 反向特性 2、稳压二极管 + 稳压管工作于反向击穿区。 二、半导体三极管 1、符号 e c b (a)NPN 型 　 　 c b e (b)PNP 型 三极管放大的偏置条件：发射结正偏，集电结反偏 IE = IC+IB IC ≈ βIE 三极管的电流关系： 2、工作状态 放大： 发射结正偏、集电结反偏； 饱和： 发射结正偏、集电结正偏； 截止： 发射结反偏。 e结正偏，c结正偏——饱和 +10.75V +10V +10.3V 例: -1.3V -1V -10V e结正偏，c结反偏——放大 3、会判断三极管的三个电极 例：测得工作在放大电路中两个个晶体管三个电极 的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、　U3=12V （2）U1=6V、　U2=11.7V、 U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 第二章 放大电路的基本原理和分析方法 一、放大电路的主要技术指标 (1) 放大倍数 (2) 最大输出幅度 (3) 输入电阻 (4) 输出电阻 (5) 通频带 二、放大电路的组成原则 　　1. 外加直流电源的极性必须使发射结正偏，集电结反偏。则有： 　　2. 输入回路的接法应使输入电压 ui能够传送到三极管的基极回路，使基极电流产生相应的变化iB。 　　3. 输出回路的接法应使变化量iC 能够转化为变化量uCE，并传送到放大电路的输出端。 三、基本放大电路部分 重点要求共射极放大电路的分析计算 重点电路： 静态分析：IB、IC、UCE 动态分析：Au、 Aus、Ri、Ro 固定偏流式电路 分压偏置式电路 静态工作点对输出波形的影响 四、多级级联放大电路 1、三种常见的耦合方式： 　　直接耦合 　　阻容耦合 　　变压器耦合　　 2、总电压放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积。 3、多级放大电路的输入电阻就是输入级的输入电阻； 4、输出电阻就是输出级的输出电阻。 第三章 放大电路的频率响应 由于放大电路中存在电抗性元件及晶体管极间电容，所以电路的放大倍数为频率的函数，这种关系称为频率响应或频率特性。 C1 Rb +VCC C2 Rc ? + + + Rs + ~ ? + ? 　　中频段：各种电抗影响忽略，Au 与 f 无关； 　　低频段： 隔直电容压降增大， Au 降低。与电路中电阻构成 RC 高通电路； 　　高频段：三极管极间电容并联在电路中，Au 降低。而且，构成 RC 低通电路。 幅频特性 f O fL -20dB/十倍频 fH 20dB/十倍频 阻容耦合的单管共射电路的频率响应 1、功率放大电路与电压放大电路对比 电压放大电路 功率放大电路 对电路要求 提供比较大的电压放大倍数 提供足够的输出功率和较高的效率，并尽量减小非线性失真。 BJT工作状态 小信号状态 大信号状态 分析方法 微变等效电路法 或图解法 图解法 第四章 功率放大电路 2、功放电路 OTL乙类功放 存在交越失真 　OCL 互补对称电路 3、OTL放大电路与OCL放大电路对比 OTL放大电路 OCL放大电路 直流电源 单电源 双电源 最大输出功率 效率 静态输出电压 VCC/2 0 直流功率 BJT导通角 乙类：180°，甲乙类：大于180° 第五章 集成运算放大电路 差动电路形式 基本形式 长尾式 恒流源式 +VCC Rc2 VT1 VT2 Rc1 + uo R1 R2 RL + uI -VEE Re uI1 uI2 静态工作点求解 动态参数求解 差分放大电路四种接法的性能比较 接法 性能 差分输入双端输出 差分输入单端输出 单端输入双端输出 单端输入单端输出 Ad KCMR 很高 很高 较高 较高 Rid Ro * *