专题2 压阻式固态传感器.pptVIP

* * 专题2 压阻式固态传感器 * * 1.压阻效应与压阻系数(75到79页） (1) 压阻效应：半导体晶体承受机械力后其电阻值增加或减小的现象。 本征半导体的压阻效应机理解释：半导体承受机械力之后，晶格间隔改变引起其禁带宽度变化导致电阻变化.压阻式传感器基于压阻效应，在半导体材料基片上经扩散电阻而制成。作为敏感元件的基片受外力作用而产生形变，使得在基片上扩散的电阻组成的电桥产生不平衡输出。 测压力和速度的固态硅压阻式传感器应用最为普遍。 * * 1）压阻效应与压阻系数 (2) 压阻系数 由半导体电阻理论可知，电阻率ρ的相对变化为 d?/?=?L ?L = ?L E? ?L: 沿晶向L的压阻系数(m2/N); ?L: 沿晶向L的应力(N/m2); E: 半导体材料的弹性模量(N/m2); ? : 轴向应变。 根据欧姆定律，半导体材料的电阻R因外力作用而发生的 相对变化为: dR/R=d?/?+(1+2?)dL/L 令d?/?=??，则上式可写成 dR/R=??+ (1+2?)dL/L=(?E+1+2?)?=K? 半导体材料的?E比1+2?大许多，1+2?可忽略不计。 * * 4.2.2 压阻效应与器件 1）压阻效应与压阻系数 (2) 压阻系数 对半导体材料，?E1+2?，上式可写为: ?R/R=??/