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美国GT Solar
美国太阳能长晶炉大厂GT Solar (/)是多晶硅生产技术、蓝宝石和硅晶体生长系统以及相关材料的全球领先供应商,服务于太阳能、LED和其他专业市场。
2010年7月,正式收购蓝宝石单晶(Sapphire)生产商Crystal Systems公司。在收购Crystal Systems后,GT Solar正式切入蓝宝石单晶产业。伴随著LED产业起飞,上游的蓝宝石单晶需求畅旺,GT Solar除了针对Crystal Systems既有的产能持续进行扩充外,自2011年4月起开始对外量产蓝宝石长晶炉。
GT Solar表示,目前在蓝宝石晶棒的切片过程中,从研磨到检验等均已有许多设备商投入供应链,而有机金属化学气相磊晶(MOCVD)机台也已有Veeco等大厂供应,惟蓝宝石长晶设备领域并无主导者,故公司选择就此切入。
有别于市场上多数的泡生法技术,Crystal Systems主要是采HEM技术(热交换技术)生产蓝宝石,其制程技术与公司原本的硅生长技术互补,故可结合公司在太阳能长晶炉设备的经验,切入LED长晶设备的销售。
GT Solar先进蓝宝石晶体生长系统的结构具有可扩展性高及可靠性高的特点。因此,与同类晶体生长技术相比,公司的产品将使客户只需要极少的投资便可迅速实现批量化生产。公司将技术、各地区深入的服务与丰富的安装经验有机结合,降低广大客户设备安装调试的风险,为其带来最大的利益。热交换法(Heat Exchanger Method)简称HEM 法其原理是利用热交换器来带走热量,使得晶体生长区内形成一下冷上热的纵向温度梯度,同时再藉由控制热交换器内气体流量(He)的大小以及改变加热功率的高低来控制此温度梯度,借此达成坩埚内熔汤由下慢慢向上凝固成晶体之目的图所示为图图1 HEM法长晶过程简图
图 热交换法炉b) 蓝宝石晶体¢380mmc) 蓝宝石晶体¢340mm
图3 HEM炉热场简图
图4 HEM炉鸟笼式石墨加热器
图5 HEM炉电控简图
HEM法主要特点:
温度梯度分布与重力场相反,坩埚、晶体和热交换器皆不移动,晶体生长界面稳定、无机械扰动、浮力对流小,消除了由于机械运动而造成的晶体缺陷减少晶体的热应力及由此产生的晶体开裂和位错等缺陷设备条件要求高整工艺复杂热交换法主要在美国得到应用和发展,该工艺为美国Crystal Systems 公司的专利技术。Crystal Systems公司用热交换法生长蓝宝石晶体已有0年的历史,代表了国际最高水平。Chandra等人利用热交换先后生长出了直径为¢200mm、¢340mm和¢380mm径高比为2:1的高质量晶体,如图所示并希望最终能够生长出直径为750mm的光学级蓝宝石晶体。GT Solar先进的蓝宝石炉图 蓝宝石炉生长控制界面(由图中放大)
图、为GT Solar先进的蓝宝石炉。– 尺寸: W × L × H: 3700 mm × 3900 mm × 4700 mm (开盖状态)
– 吊顶高度: 4900 mm
– 电力系统: 80 kVA 3 Ph 50/60 Hz
– 炉子大约重量: 2000 Kg
– 冷却水: 4.5 M3/h
图8 ASF炉外形尺寸图
关键优势– 自下而上的A轴方向生长方式,快速地生长、低应力的LED级蓝宝石衬底较短的晶体生长周期,100 kg的晶棒生长周期18天。使用指定的原料和坩埚– 晶体凝固过程中的杂质偏析(k﹤1),能够预测晶棒不同位置的杂质分布。
– 可以重新熔化晶棒不同位置以控制杂质的分布。
– 可切片的晶棒的收率高
– 炉子年产能大于100,000 TIE
– 不同尺寸晶圆(2”, 4”, 6”)的灵活搭配
– 可扩展的体系结构提供投资保护– 坩埚形状和装料尺寸的大小弹性可以满足广泛的客户需求
– 高自动化(PLC控制),强大的工具设计-无移动部件
– 简单的接种过程,无人工引晶过程
– 具有40年的蓝宝石晶体生长经验保证$80 /Kg。
由于HEM法工艺特点,晶体生长完成后需进行砸锅取晶体,因此钼坩埚为一次性坩埚,厚度约为3 mm,制造精度较高,国外进口。鸟笼式石墨加热器也是国外进口的,由于蓝宝石炉采用石墨热场,控制石墨的挥发污染尤为关键,因而国内石墨加热器质量达不到要求。
底部热交换器,采用氦气作冷却源,熔料时通氦气保证粘在底部的籽晶不被熔化,熔料完成后,再由控制加热器功率和氦气流量大小来控制晶体生长界面的温度梯度。整个晶体生长过程,需要使用大量的氦气,气体成本较高。
设备价格
73万美金 /台,包含工艺,起订台数50台。由于热交换技术是美国Crystal System的专利技术,以前多用于军工方面,为了控制热交换技术的扩张性,因此GT Solar目前
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