N-WellCMOS製造流程.docVIP

N-Well CMOS 製造流程 “組員: 黃柏翰499L0023 許宏銘499L0051 廖崇佑499L0071 李昆霖499L0106 第一道光罩 MASK #1--“ 定義N 井的區域 ” 最初，是一塊P 型的矽基板(如上圖)。 在P 型基板上方會長一層的氧化層(SiO2)作為離子植入之阻障層， 接著經由旋轉塗佈機上光阻(如上圖)。 曝光(如上圖)。 顯影後(如上圖)。 利用活性離子蝕刻機將沒有覆蓋到光阻劑的二氧化矽蝕刻掉(如上圖)。 去光阻(如上圖)。 以離子植入機將磷或砷摻雜射入沒有二氧化矽阻擋的P型基板，在P型基板上形成N型區域(上圖黃色部份)，將晶片置入擴散爐管，已擴散相關的製程，形成大範圍N型區域，稱N井。 因離子的碰撞引起的半導體晶格中斷或損壞造成矽表面損壞，後續的退火程序以高溫循環的方式修復被離子植入所破壞的原子排列(結晶性)。 第二道光罩 MASK #2--“定義NMOS 和PMOS 的主動區” 先蝕去氧化層，然後在P型基板上先以乾氧製程長一層薄熱氧化層作為墊層，接著利用CVD化學氣相沉積，再二氧化矽上沉積一層氮化矽(S3N4)，作為用來阻擋製作場氧化層的水氣之阻障層。然後塗上光阻劑(如上圖)。 之後經過對準、曝光、顯影等微影製程後，形成上圖。 接著利用溼蝕刻(高濃度H