第五章-2CuInGaSe2太阳电池-20141125.pptVIP

第四章 非晶硅太阳电池 第五章 CdTe和CdS太阳电池 CuInGaSe2(CuInS2)太阳电池 染料敏化太阳电池(DSSC) 有机太阳电池(OPV) Po(po一声)；Te（di四声）；Sb(锑ti一声) 第五章 薄膜太阳电池 铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳电池 为何使用铜铟镓硒(CIGS)？ Si:间接带隙,103量级 20.8%, 随 随着Cu/In比例的增大，薄膜的方块电阻减小。 各层功能与要求 替代物：ZnSe/ZnS/In2S3 Glass: 玻璃热膨胀系数要与CIGS匹配 对玻璃的附着性好；电阻率低；较好的反光性 CIGS CIGS（共蒸发法，后硒化法，共溅射法） 准确 CIGS薄膜的制备工艺 设置Cu、In、Ga、Se独立蒸发源，衬底支架和衬底加热器； 蒸发源由圆柱形陶瓷坩埚、缠绕在坩埚外的Mo丝加热器及底部的热电偶组成； PID自动温度控制仪控温； Cu、In、Ga源成品字形排列，均倾斜微小角度，蒸发口对准衬底中心，衬底距蒸发源280mm； Se源高于Cu、In、Ga蒸发源；——Se蒸发温度低、速率大，易受其它蒸发源影响。 晶 M是金属Cu、In和Ga； x、y是原子或离子数； n是电子数或价数。 其中， 原理简单； 电化学制备很复杂——除沉积出三元（四元）CIS（