《存储器系统.ppt

第六章 存储器系统 教学目的和要求 通过本章的学习，使学生掌握存储器的基本概念，掌握存储器的结构、分类及常用的存储器芯片的扩展，并掌握存储器与CPU的连接方法。 重点与难点 本章重点 存储器的基本概念 存储器系统的层次结构 存储器的分类及主要评价指标 常用RAM存储器及其扩展技术 常用ROM存储器及其扩展技术 存储器与CPU的连接 本章主要内容 §6.1 概述 § 6.1.1存储系统的层次结构 计算机系统中，根据各种存储器的存储容量、存取速度和价格比的不同，将它们按照一定的体系结构组织起来，使所存放的程序和数据按照一定的层次分布在各种存储器中，构成多级存储体系。 § 6.1.1存储系统的层次结构 整体而言，存储系统主要有两个层次，即Cache-主存层次和主存-外存层次 § 6.1.2半导体存储器的分类 按构成存储器的器件和存储介质可分为： § 6.1.3存储器的基本组成 一般情况下，一个存储器系统由存储体、地址译码电路、控制电路等组成 § 6.1.3存储器的基本组成 1）存储体 § 6.1.4存储器的主要技术指标 存储器的类型不同，其性能指标也不相同，在构成微机系统时需要全面考虑。通常衡量一个存储器的性能指标主要有存储容量、存取时间、可靠性、集成度和功耗等。 § 6.1.4存储器的主要技术指标 § 6.2常用存储器 § 6.2.1 RAM随机存储器 1、静态随机存储器（SRAM） 图中，Q1和Q3、Q2和Q4分别组成1个反相器，它们的输入、输出交叉耦合组成1位触发器，用于记录1位二进制信息。 当Q1导通时，Q2一定截止，这时，触发器的输出端为低电平，表示存储1信号；反之，Q1截止时，Q2导通，触发器输出高电平，表示存储0信号。Q5和Q6用于完成对该存储元的读写操作，位线1、2用来传递读写数据信号，字线用来提供将触发器与位线连通或断开的控制信号。 2、动态随机存储器（DRAM） DRAM需要不断的刷新，才能保存数据，SRAM则不需要刷新电路。 DRAM使用简单的单管单元作为存储单元，因此，每片存储容量大，约是SRAM的4倍。 DRAM的行列地址通常是复用的，所以其引脚数比SRAM要少很多，封装尺寸也比较小。 DRAM的价格比较便宜，大约只有SRAM 的1/4，由于使用动态元件，DRAM功耗也只有SRAM的1/6。因此，DRAM得到了广泛的使用，它的存取速度和存储容量正在不断地改进提高。 3、常用SRAM芯片 ①当器件要进行读操作时，首先输入要读出单元的地址码（A0～A9），并使＝1，如果＝0，则所选存储单元内容（4位）就会通过三态输出缓冲器，送到数据输入输出引脚（I/O0～I/O3）上。 2164A的容量为64K×1，即65536个存储单元，每个单元只有1位数据，而通常8位二进制数表示一个字节，因此需要8片2164A才能构成64KB的存储器。 6.2.2 只读存储器ROM ⑴ 掩膜ROM EPROM的型号有：2716(2K×8位)、2732(4K×8位)、2764(8K×8位)、27128(16K×8位)、27256(32K×8位)、27512(64K×8位)、27010(128K×8位)、27080(1024K×8位)等。 E2PROM的编程序原理与EPROM相同，但擦除原理完全不同，一般可以进行10万次的重复改写。 E2PROM的主要产品有高压编程的2816、2817，低压编程的2817A、2816A和2864A、28512以及1M位以上的28010、28040等等。 Intel 2816是2K×8的E2PROM芯片，有24条引脚，单一+5V电源，其引脚和逻辑符号如图6.10所示。Intel 2816 E2PROM芯片的主要信号有：地址信号（A10～A0）、写允许信号、片选信号、输出允许信号、数据输入输出信号（I/O7～I/O0）。 快擦除读写存储器（FLASH Memory）是在 EPROM与 EEPROM基础上发展起来的，它与EPROM一样，用单管来存储一位信息，每次进行擦除时，要擦除整个区或整个器件，不提供字节级的擦除。 速度比EPROM快的多。 快擦除读写存储器兼有ROM和RAM两者的性能，又有DRAM一样的高密度。目前价格已低于DRAM，芯片容量已接近于DRAM，是唯一具有大存储量、非易失性、低价格、可在线改写和高速度（读）等特性的存储器。 6.3.1 存储器位扩展 位扩展是指存储芯片的字(单元)数满足要求而位数不够，需要对每个存储单元的位数进行扩展。扩展的方法是将每片的地址线、控制线并联，数据线分别引出。其位扩展特点是存储器的单元数不变，位数增加。 图6.11所示的位扩展方式是用2个16K×4位芯片组成16K×8位的存储器，存储器字长为8位。每个芯片字长位4位，每片有14条地址线引出