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DC/DC变换器技术现状及未来 李龙文 （飞兆科技，上海 200070） （Email a-powerter@online.sh.cn）FET的工作频率不是太高，整体功率密度没有上去，总体效果却并不理想。 为了让磁能在磁芯复位时不白白消耗掉，一位美籍华人工程师于2001年申请了第三代有源箝位技术专利，并获准。其特点是在第二代有源箝位的基础上将磁芯复位时释放出的能量转送至负载。所以实现了更高的转换效率。它共有三个电路方案：其中一个方案可以采用N沟MOSFET。因而工作频率较高，采用该技术可以将ZVS软开关、同步整流技术、磁能转换都结合在一起，因而它实现了高达92%以上的效率及250W/in3以上的功率密度。（即四分之一砖DC/DC做到250W功率输出，并且达到了92%以上的转换效率） 我们给出三代产品的等效电路，读者可从其细节品味各自的特色。有关有源箝位技术近年论文论述颇多，而且美国各大公司近年又发表了多款有源箝位的控制IC。例如TI公司的UCC2891-94,UCC2897,安森美公司的NCP1560,可以工作在高压400V下的NCP1280，美国国半的LM5025，在加上TI公司先前的UCC3580，电压型的，电流型的样样具全。性能更加优越，使用更加方便，外围元件更少。这一点说明了有源箝位技术的历久不衰。它既能够解决磁芯复位问题，又能带来软开关的效果。使用方法此处不多赘述。 全