模拟电子技术电子教案教学课件作者林春方第三节课件.pptVIP

* 2.1　双极型半导体三极管 一、双极型半导体三极管的结构和工作原理 二、晶体三极管的特性曲线 三、三极管的主要参数 四、光电三极管 一、双极型半导体三极管的结构和工作原理 （一）双极型半导体三极管（BJT）结构 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B E C B 第一章　常用半导体器件 双极型半导体三极管的实物图 第一章　常用半导体器件 金属封装 小功率管 塑封 小功率管 塑封 大功率管 金属封装 大功率管 （二）工作原理 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 外加电源与管子的连接方式 VCC RC IC e c b VBB Rb IB UBE UCE IE VCC RC IC e c b VBB Rb IB UBE UCE IE NPN型管的连接方式 PNP型管的连接方式 第一章　常用半导体器件 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极电路 共集电极电路 共基极电路 实现电路 ui uo RB RC uo ui RC RE 第一章　常用半导体器件 三极管内部载流子的传输过程(以NPN型为例) 1) 在VBB提供的正偏电压作用下,发射区向基区注入多子电子，形成发射极电流 IE。 I CN 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN I CBO IB IC 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) 第一章　常用半导体器件 ICN≈IC IBN≈IB 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) IB 三个电极的电流关系: IE=IC+IB 直流电流放大系数: 二、晶体三极管的特性曲线 （一）输入特性 输入 回路 输出 回路 与二极管特性相似 RC VCC iB IE RB + uBE ? + uCE ? VBB C E B iC + ? + ? + ? iB RB + uBE ? VBB + ? O 特性基本重合(电流分配关系确定) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE(on) 硅管： (0.6 ? 0.8) V 锗管： (0.2 ? 0.3) V 取 0.7 V 取 0.2 V VBB + ? RB 第一章　常用半导体器件 （二）输出特性 iC / mA uCE /V 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA iB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 截止区： iB ? 0 iC = ICEO ? 0 条件：两个结反偏 2. 放大区： 3. 饱和区： uCE ? u BE uCB = uCE ? u BE ? 0 条件：两个结正偏 特点：iC ? ? iB 临界饱和时： uCE = uBE 深度饱和时： 0.3 V (硅管) uCE=U(CES)= 0.1 V (锗管) 放大区 截止区 饱 和 区 条件：发射结正偏 集电结反偏 特点：水平、等间隔 ICEO 第一章　常用半导体器件 （三）温度对三极管特性曲线的影响 1. 温度升高，输入特性曲线向左移。 温度每升高 1?C，UBE ? (2 ? 2.5) mV。 温度每升高 10?C，ICBO 约增大 1 倍。 2. 温度升高，输出特性曲线向上移。 O T1 T2 iC uCE T1 iB = 0 T2 iB = 0 iB = 0 温度每升高 1?C，? ?(0.5 ? 1)%。 输出特性曲线间距增大。 O 第一章　常用半导体器件 三、三极管的主要参数 1、电流放大系数 （1） 共发射极电流放大系数 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 — 直流电流放大系数 ? — 交流电流放大系数 一般为几十 ? 几百 （2）共基极电流放大系数 ? ? 1 一般在 0.9