电工电子技术教学课件作者第2版电子教案刘蕴陶第6章课件.pptVIP

4.温度系数αu 表示稳定电压受环境温度变化影响的参数。 定义：环境温度变化1°C引起稳定电压的相对变化量。 温度系数αu 越小越好。 一般稳压二极管稳定电压Uz高于6V的，温度系数αu 为正值；稳定电压Uz低于6V的，温度系数αu 为负值。Uz = 6V左右的，稳定电压Uz受环境温度变化的影响最小。 双向稳压二极管2DW7简介 结构示意 如图所示。 1 2 2 两个Uz数值相同的稳压二极管反向串联组成。 其中，一个反向工作，具有正的温度系数；另一个正向工作具有负的温度系数。二者配合，有温度补偿作用。 VDz R U2 + － Ui + － 典型应用电路 输出稳定电压 U2=±（ Uz+ UD） U2=± Uz UD为稳压二极管的正向管压降， Uz＞＞ UD≈0.6V。 可近似认为 二.简单应用举例 引起电压不稳定的原因是交流电源电压的波动和负载电流 的变化,引起整流输出的直流电压变化。 下面分析在这两种情况下的稳压作用。 RL R I IZ VDZ IL + Uo ? + UI ? 限流电阻 RL不变 输出直流电压 I=IZ+IL Uo=UI－IR 当交流电源电压增加而使整流输出电压UI随着增加时，负载电压Uo也要增加。 Uo即为稳压管两端的反向电压。 当交流电源电压增加而使整流输出电压UI随着增加时，负载电压Uo也要增加。Uo即为稳压管两端的反向电压。当负载电压Uo稍有增加时，稳压管的电流IZ就显著增加，因此限流电阻R上的压降增加，以抵偿UI的增加，从而使Uo保持近似不变。 RL R I IZ VDZ IL + Uo ? + UI ? U 0 A I △IZ △UZ I=IZ+IL Uo=UI－IR UI↑→Uo↑→UZ↑→IZ↑↑→I↑→IR↑→ Uo↓ 输出直流电压 Uo=UI－IR I=IZ+IL UI不变, RL变化 RL↓→IL↑→I↑→IR↑→UO↓→UZ↓→IZ↓↓→I↓→IR↓→UO↑ 而下降。只要 Uo下降一点，稳压管电流IZ就显著减小，使通过电阻R的电流I和电阻上的电压回降,近似保持不变，因此负载电压 Uo也就近似稳定不变。 当电源电压保持不变， UI不 变,而负载电阻RL减小,电流 IL增大，电流I增大,电阻R上的压降增大。负载电压Uo因 RL VDZ IL R I IZ + Uo ? + ? UI 二极管是否具有稳压作用? 若UI=2.5V UO=? + + - - R VD1 VD2 UI UO 硅二极管正向导通电压0.7V UO=0.7+ 0.7=1.4V 限流电阻的作用 思考练习 UO=6+0.7=6.7V + + - - R VDZ VD UI UO 稳压二极管VDZ的稳定电压UZ=6V VD是硅二极管 输出电压Uo=? 6- 4 双极型晶体管 塑料封装 小功率管 金属封装 小功率管 金属封装 大功率管 双极型晶体管 两个PN结 三个电极。 简称三极管、晶体管（BJT）。 电流放大作用 根据结构的不同,晶体管分为两种类型NPN型和PNP型。 一. 晶体管的基本结构 B 集电极C 发射极E 集电结 集电区 发射结 发射区 基区 基极 P N N NPN型 发射极E 集电结 集电区 发射结 发射区 基区 基极 P P N 集电极C B PNP型 晶体管的结构特点 (1)基极尺寸极薄(μm数量级),占整个晶体管尺寸的百分之一以下。 (2)发射区和集电区虽为同一类型的杂质半导体,但它们的搀杂浓度相差悬殊:发射区的搀杂浓度远大于集电区的搀杂浓度。 (3)集电结的面积大,发射结的面积小。 注意:发射极E和集电极C不能对调使用。 晶体管的分类 按内部结构的不同分为NPN型和PNP型 硅管多为NPN型 锗管多为PNP 型 B E C B E C NPN型 PNP型 IC IE IB IC IB IE 硅管 受温度变化影响小，工作稳定 按半导体材料的不同 硅管和锗管 在自动控制设备中广泛应用。 图形符号和电流方向 按功率的不同 小功率管和 大功率管 功率小于0.5W的是小功率管,大于1W的是大功率管,介于二者之间的是中功率管。 按工作频率的不同 低频管和 高频管。 工作频率低于3MHz的是低频管，高于3MHz的是高频管。 按用途的不同 电压放大管、功率放大管、开关管等。 晶体管型号的命名 由5部分组成 第一部分 阿拉伯数码3,表示三极管。 型号举例 3AX51、3BX81、3CG14、3DG6、 3AD50等。 第二部分 汉语拼音字母,表示三极管的材料