数字电路第三章PPT.ppt

计算机组成原理 多层次的存储系统 存储器概述 存储位元：存储器中最小的存储单位，是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料，有两个状态，可存储一个二进制位。 存储单元：由若干个存储元组成，有固定长度，可以是字长或字节。 存储器：由许多存储单元组成，统一编址。 在主存中为了指出存储位置，要给每个存储单元一个编号，称为地址。如果给每个机器字编址，称为字寻址。如果给每个字节编址，称为字节寻址。 存储器分类 存储介质 半导体存储器; 磁表面存储器。 状态改变的快慢决定了存取速度 存储方式 随机存储器 任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。 顺序存储器 只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。 存储器分类 存取功能可变性 只读存储器(ROM) 存储的内容固定不变，只能读出而不能写入。 随机读写存储器(RAM) 既能读出又能写入。 信息的易失性 非永久记忆存储器 断电后信息即消失。如RAM 永久记忆存储器 断电后仍能保存信息。如磁盘 系统中的作用 可分为主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。 存储器的分级结构 为了要求容量大，速度快，成本低，目前通常采用多级存储器体系结构，即使用高速缓冲存储器、主存储器和外存储器。 存储器的分级结构 高速缓冲存储器：简称Cache，高速存取指令和数据，存取速度快，但价格贵，存储容量小，现在还使用多级Cache 主存储器：简称主存，存放计算机运行期间的大量程序和数据，速度较快，容量有限。 外存储器：简称外存，存放系统程序和大型数据文件及数据库，存储容量大，位成本低，但速度慢。 主存储器的技术指标 存储容量：在一个存储器中可以容纳的存储单元总数， 反映了存储空间的大小，单位 字数，字节数 KB,MB,GB,TB 存取时间：启动到完成一次存储器操作所经历的时间，决定了主存的速度，单位 ns 存储周期：连续启动两次操作所需间隔的最小时间，反映了主存的速度 ，单位 ns 存储器带宽：单位时间里存储器所存取的信息量, 是数据传输速率技术指标 单位 位/秒，字节/秒 随机读写存储器 分为静态和动态两种。它们是组成存储器的基础和核心。 存取速度快，存储体积小，可靠性高，价格低廉；断电后不能保存信息。 SRAM存储器：由两个MOS反相器交叉耦合而成的触发器, 有两个稳定的状态，分别表示一位二进制。 DRAM存储器：利用电容中存储的电荷暂时存储信息，需要不断刷新，集成度高，但速度较慢 六管SRAM存储元 MOS 管高电平导通，低电平截止。A，B两点电位总是互为相反。 写操作 读操作 读写操作必须X/Y译码线同时有效 单管动态存储元 单管动态存储元电路由一个管子T1和一个电容C构成 写入 读出 读出是破坏性的，要立即按读出信息予以充电再生。 它元件数量少，集成度高，但需要有高鉴别能力的读出放大器配合工作，外围电路比较复杂。 只读存储器 简称ROM，只能读出，不能写入。具有不易失性。 分为三类：　 掩模式：数据在芯片制造过程中就确定 可靠性和集成度高，价格便宜 不能重写 一次编程(PROM)：用户可以根据需要自行改变产品中某些存储元,只能一次性改写 多次编程(EPROM)：可以用紫外光照射或电的方法多次改写ROM中的内容 光擦可编程只读存储器 仍然通过字线和位线控制，存储元接通为0，断开为1。 有4种工作方式：读、未选中、功率下降、编程 存储器的组成 存储体：大量存储单元的集合，需解决寻址，驱动，控制等问题 地址译码器： 驱动器: I/O电路： 片选: 读/写控制： 输出驱动电路: 地址译码器 根据n位地址选择2n线中之一 单译码：适用于小容量存储器，只有一个地址译码器 双译码：适用于大容量存储器，有X向和Y向两个译码器。 SRAM实例---2114(1K*4) 存储器对外呈现三组信号线，即地址线、数据线、读/写控制线 64*64阵列 4位DB,10(6+4)位AB,CS WE DRAM实例---2116 (16K*1 ) 128*128的阵列。 需要14位地址，但仅提供7根地址线，需要分时传送地址 EPROM实例--- 2716(2K*8) 11根地址线，7条行译码，4条列译码 8根数据线 存储器与CPU连接 CPU对存储器进行读/写操作，首先由地址总线给出地址信号，然后要发出读操作或写操作的控制信号，最后在数据总线上进行信息交流，因此要分别完成地址线、数据线和控制线的连接。 存储器芯片的容量是有限的,为了满足实际存储器的容量要求，需要对存储器进行扩展。 使用多片存储器需要电路确定各片地址空间等 位扩展法 只加大字长，而存储器的字数与存储器芯片字数一致,对片子没有选片要求，