第五讲半导体探测器.pptVIP

(3) 窗厚对能量分辨率的影响 2、分辨时间 3、辐照寿命 4、P-N结型半导体探测器的应用 不同角度入射的带电粒子穿过探测器的窗厚度不同，在窗中损失的能量不同，造成能谱展宽， 各种因素对系统能量分辨率的影响， ………… §5.3 P-I-N型半导体探测器 一．工作原理 二．输出信号与主要性能 三． P-I-N型半导体探测器的应用 为什么要发展P-I-N型探测器？ 1MeV的?粒子在硅中的射程~2mm，而P-N结型探测器灵敏体积的线度一般不超过1~1.5mm。 P-N结型探测器探测?和?的效率太低。 带正电的锂离子与带负电的受主离子结合成中性的正负离子对。由于补偿作用，形成本征区。构成P-I-N结构。 在高电阻率的P型半导体材料表面掺入锂原子，制成P-N结。Li在Si和Ge中有较高的迁移率和电离能（在Si中0.03eV，Ge中0.01eV)，所以在室温下全部电离。Li离子的半径很小（0.6A），所以很容易以较大的速度穿过晶格（5.62A、5.42A）深入进去。 在高温下，外加反向电场，使锂离子沿电场方向扩散。 一．工作原理 本征区I 电子空穴密度相等， N区和P区多数载流子密度远远大于少数载流子密度， 存在不等式： 多数载流子扩散，出现空间电荷。 I区是耗尽区，电阻率很大