变频器原理第2章.pptVIP

变频器原理与应用 2.1.6 门极可关断晶闸管 门极可关断晶闸管与普通晶闸管一样，也是PNPN四层三端半导体结构，引出电极包括阳极A、阴极K和门极G。 （3）芯片可以比GTO芯片做得很薄，薄得如同二极管的PN结，故可与反并联的续流二极管集成在一个芯片上。 （4）IGCT可以在以往大功率半导体器件所无法满足的高频率下运行，是一种高耐压大电流器件，目前IGCT的最高阻断电压为6 kV，工作电流为4 kA。 若门极G相对于阳极A加上正脉冲电压信号时，uAG0，igoff向N沟道MOS管提供驱动信号使N沟道的off-FET管开通，Off-FET导电后其端电压变小，使T1管基极电流减小，从而引发T1、T2管内部正反馈控制：ib1↓→ic1↓→ib2↓→IK≈IA↓→ic2↓→ib1↓。随着IA、IC1和IC2的不断减小，Tl、T2的电流分配系数α1、α2越来越小，最终导致MCT从通态转入断态。 六块触发板的X、Y可按如图2-31所示方式连接，即后相的X端与前相的Y端相连。在安装使用这种触发电路的晶闸管装置时，应先测定电源的相序，再正确连接。如果电源相序相反，装置将不会正常工作。 2.3 实 训 1.实训目的 2.实训电路 3.实训设备 4.实训内容及步骤 5.实训报告要求