《东南大学半导体器件原理与工艺2.pptVIP

概述 半导体衬底 热氧化 扩散 离子注入 光刻 刻蚀 薄膜淀积 CMOS 掺杂 掺杂在半导体生产中的作用： 1.形成PN结 2.形成电阻 3.形成欧姆接触 4.形成双极形的基区、发射区、集电区，MOS管的源、漏区和对多晶硅掺杂 5.形成电桥作互连线 扩散 扩散的定义： 在高温下，杂质在浓度梯度的驱使下渗透进半导体材料，并形成一定的杂质分布，从而改变导电类型或杂质浓度。 杂质扩散 预扩散 剂量控制 推进 结深控制 杂质扩散源 掺杂机制 填隙扩散机制 硅原子挤走杂质，杂质再填隙 两种扩散机制并存 一维扩散模型 扩散模型 采用连续性方程 扩散模型 D的温度依赖性 D=Doexp(-EA/kT), 式中EA是激活能 预沉积分布 余误差函数 预沉积 预沉积剂量 浓度梯度 预沉积与推进后浓度与深度关系 结深计算 当杂质浓度等于衬底浓度时,对应的深度为 xj 扩散分布的测试分析 浓度的测量 四探针测量方块电阻 范德堡法 结深的测量 磨球法染色 扩展电阻 CV SIMS RBS AES 扩散系统 概述 半导体衬底 热氧化 扩散 离子注入 光刻 刻蚀 化学气相淀积 物理淀积 外延 工艺集成 CMOS 双极工艺 BiCMOS MEMS加工 定义 先使待掺杂的原子或分子电离，再加速到一定的能量，使之注入到晶体中，然后经过退火