第1章 晶体二极管概述.ppt

§1.1 半导体的基本知识 半导体的共价键结构： 1、原子结构： 2、共价键： 二、本征激发和复合 三、热平衡载流子浓度 §1．2 PN结的形成及特性 §1.2.2 PN结的单向导电性 §1．3 晶体二极管电路的分析 一、数学模型（适用于工程分析） §1.4 晶体二极管的应用 单向导电性：整流、限幅 反向击穿特性：稳压 这就使得P区和N区能越过这个势垒的多数载流子数量大大增加, 形成较大的扩散电流。当然, 这时还存在由少数载流子形成的漂移电流, 但由热激发产生的少子数量是十分有限的, 少子漂移电流对总电流的影响可以忽略不计。当管子制成后, 漂移电流大小主要取决于温度, 而几乎与外加电压无关。 所以, 当PN结加正向电压时, 通过PN结的电流主要是扩散电流, 它随着外加电压E的增加而迅速上升, 表明PN结这时呈现一个很小的电阻。 这种状态称为PN结处于导通状态。  当外加电压VR的正端接N区，负端接P区，外加电场方向与PN结内电场方向相同。在这种外电场作用下，P区中的空穴和N区中山电子都将进一步离开PN结，使耗尽区厚度加宽，这时PN结处于反向偏置。 二、反向特性： 外加电压将使PN结电场增加，这样P区和N区中的多数载流子就更难越过势垒，因此扩散电流趋近于零。但是，由于结电场的增加，使N区和P区中的少数载流子更容易产