第二章半导体中杂质和缺陷能级讲述.ppt

（2）GaAs晶体中的点缺陷 当T＞0K时： ●空位VGa、VAs ●间隙原子GaI、AsI ●反结构缺陷 —Ga原子占据As空 位，或As原子占据Ga空位，记为GaAs和AsGa。 三种典型 存在形式 A、空 位： 空位的性质由实验定，目前理论还无定论。 EC EA1（ VGa ）=EV+0.01eV EA2（ VAs ）=EV+0.18eV EV GaAs的两种空位均 表现为受主作用。 Si、Ge中的空位有不饱和 键可接受电子，因而呈现 受主作用。 B、反结构缺陷： AB 或 BA特征：主要出现在化合物半导体中。 例：GaAs中的反结构缺陷 GaAs：受主 AsGa：施主 因为As的价电子比Ga多。 这类缺陷在离子性强的化合物半导体(GaN/ZnO