soc工艺ch11刻蚀综述.ppt

本章主要内容 11.1 概述 11.2 湿法刻蚀 11.3 干法刻蚀 11.4 刻蚀技术新进展 氧的作用 加入氧后，氧会和CF4反应生成氟原子，进而增加氟原子的量并提高刻蚀速率。 氧含量超过某一特定值后，两者的刻蚀速率下降，这是因为氟原子结合成F2，使氟原子减少。 加入氧后，二氧化硅对硅的刻蚀速率选择比将下降。 11.3.3 二氧化硅的干法刻蚀 氢的作用 加入氢后，氢气会离解成氢原子，并与氟原子发生反应生成氟化氢。HF对二氧化硅的刻蚀速率比F慢，刻蚀速率略有下降。而对Si的刻蚀速率下降更明显。 氢含量超过某一特定值后，会有聚合物产生阻碍Si/SiO2与F/CF2的接触，而使刻蚀停止。 常用的刻蚀气体 CHF3和Cl2的混合气体： CHF3有较佳的选择性。 SF6和NF3的混合气体：不含碳原子，所以不会形成聚合物。 11.3.3 二氧化硅的干法刻蚀 11.3.4 氮化硅的干法刻蚀 Si-N键强度介于Si-O、 Si-Si之间， Si3N4的刻蚀速率介于SiO2和Si之间，刻蚀SiO2的气体可用于氮化硅的刻蚀。 LPCVD Si3N4 作为选择性氧化或扩散的掩膜，CF4+O2+N2作为刻蚀气体。 PECVD Si3N4作为器件保护层，刻蚀压焊点窗口用CF4+O2作为刻蚀气体。 以CF4, 为主的氟基气体，对Si3N4/SiO2选择比较差。使用CHF3，对SiO2/Si的选择比可以在10以上。 11.3.5 铝及铝合金的干法刻蚀 铝是半导体工艺中最主要的导体材料。它具有低电阻，易于淀积和刻蚀等优点。 氟化物气体所产生的等离子体并不适用于铝的刻蚀，因为反应产物的蒸气压很低不易挥发，很难脱离被刻物表面而被真空设备所抽离。 铝的氯化物则具有足够高的蒸气压，因此能够容易地脱离被刻物表面而被真空设备所抽离。所以氯化物气体所产生的等离子体常被利用作为铝的干法刻蚀源。 氯对铝有极高的化学刻蚀速率并且在刻蚀时会有横向钻蚀现象。加入含炭气体或氮气以形成钝化膜。 添加气体：BCl3 作用：BCl3极易和氧、水反应，因此可吸收腔内水汽及氧气。 BCl3在等离子体中可将铝表面的自生氧化层还原。 环境暴露问题：铝线条侧壁上残留的氯和光刻胶倾向于与空气中水分子反应生成HCl，它对铝有腐蚀作用。 解决方法：将晶片暴露在CF4中，对CF4放电实现用F交换Cl，之后对氧放电去除光刻胶，接着立即浸入去离子水中清洗。 11.3.5 铝及铝合金的干法刻蚀 具有优良的沉积一致性。当金属宽度小于0.5um时，用溅射方法得到的Al无法完美填入接触窗而造成接触阻值较高，甚至无接触。因此，在半导体金属制备中使用CVD法沉积耐热金属填入接触窗，取代部分铝，这种方法称为接触插塞(Contact Plug)或介质窗插塞(Via Plug)。 优点：有完美的淀积均匀覆盖性。氟基与氯基化合物均可以刻蚀钨，且生成挥发性产物。 常用的插塞金属：钨、钛、铂金、钼等。 接触窗插塞步骤： a.淀积铝之前先淀积Ti和TiN。 为了克服铝与介质层附着力问题并降低接触电阻,提高器件稳定性。 b.快速热处理以产生钛硅化合物。 c.CVD淀积W金属使其填入接触窗。 d.利用干法刻蚀将介电层表面的W金属去除，留下接触窗内的W，完成接触窗插塞。 钨回蚀 11.3.5 钨的刻蚀 刻蚀气体：SF6、Ar、O2 WF6常温下为气体，较易排出腔外。但由于SF6的存在，最终产物有硫产生，造成反应室内气压较低，产生沉积，导致钨回蚀不净。 Ar的作用： 通过Ar的离子撞击去除晶片表面沉积的硫，减少钨回蚀不净现象。 氧的作用： 加强氟化物气体的电离效率，减少保护层沉积量。 11.3.5 钨的刻蚀 11.3.7 干法刻蚀设备 干法刻蚀设备： 最常见的是平行板电极反应器，即反应离子刻蚀机(Recative Ion Etcher，RIE)； 在RIE中加入磁场，提高等离子体的浓度，磁场强化活性离子刻蚀机（Magnetic Enhanced Recative Ion Etcher，MERIE）； 高密度等离子体刻蚀机（High Density Plasma Etcher，HDP）； 电子回旋共振式等离子体刻蚀机（Electron Cyclotron Resonance Plasma Etchers， ECRPE）； 变压耦合式等离子体刻蚀机（Transformer Couple Plasma， TCP）； 感应耦合等离子体刻蚀机（Inductively Coupled Plasma Reactor，ICPR）； 螺旋波等离子体刻蚀机； 11.3.7 干法刻蚀设备 反应离子刻蚀机(RIE)：包含一个高真空的反应腔，压力范围0.01-1Torr。腔内两个平行板，一个电极与反应器的腔璧接地，另一个电极与