5、静电场中的导体.ppt

一、教学内容 1、静电平衡条件； 2、静电场中导体表面的电荷分布。 3、电容、电容的计算 二、教学目的与要求 1、理解静电平衡条件； 2、理解静电场中导体表面的电荷分布和导 体附近的场强分布。 3、理解电容的概念，掌握电容的计算 三、重点： 静电平衡条件；电容的计算 一、静电平衡条件 导 体 导体内部及表面自由电子的宏观运动停止的状态，称为静电平衡状态。 静电平衡条件 1、导体内部场强处处为零。 2、场强方向处处与导体表面垂直。 推论：导体是一个等势体；导体表面是一个等势面。 二、静电平衡时导体上电荷的分布 １、实心导体上电荷的分布 结论：电荷分布在导体表面 高斯面内电荷代数和为零 在 S 上应用高斯定理 静电平衡时，导体内部处处无净电荷，电荷只能分布在导体表面。 2、空腔导体上电荷的分布 (1) 空腔内部没有带电体 结论：空腔内表面没有电荷，电荷只能分布在空腔外表面。 ②内表面电荷代数和为零 ① 导体内部无净电荷 ③ 内表面无电荷分布 则有电场线从 a 点发出，终于b 点，则两点 a 、b 两点不等势，与静电平衡条件相矛盾。 故空腔导体内部和内表面均无电荷，电荷只能分布在空腔导体的外表面。并且空腔内场强也处处为零。 (2) 空腔内部有带电体 ① 导体内部无电荷 ②内表面电荷代数和为零 空腔内表面分布有电荷 ③空腔导体的外表面带电为Q+q　　　　 。 3、静电平衡时导体表面电荷的分布规律 对于孤立导体电荷面密度σ与导体表面的曲率半径有关。 曲率半径越小，电荷面密度越大。 曲率半径越大，电荷面密度越小。 r，q R，Q 曲率半径小的地方，电荷密度大，场强大；反之，则小。 即 静电平衡时导体上的电荷分布 2、当空腔导体内部无带电体时，空腔导体和实心导体一样，内部场强处处为零；电荷全部分布在导体的外表面。 3、当空腔导体带电为 Q ，空腔内部有带电体 q 时，空腔内表面出现感应电荷　　　 ，空腔导体的外表面带电为　　　　 。 1、静电平衡时，导体内部处处无净电荷，电荷只能分布在导体表面。 4、孤立导体表面的电荷分布与导体的形状有关。曲率半径越大，电荷面密度越小。 静电屏蔽 接地导体壳（或金属丝网）将内外的电场影响完全隔绝。 导体壳（不论接地与否）内部的物体不受外电场的影响； + + + + 三、导体表面附近场强 在 表面附近作圆柱形高斯面， === 一半在内，一半在外。 是导体表面的电荷面密度 尖端放电现象 当带电体尖端场强很强的情况下，尖端附近的空气分子发生电离，产生尖端放电现象。 [例1] 放入导体板B 已知：导体板A：S，Q0; 求：①A、B上的电荷分布及空间的电场分布; A板: B板: 解： ①由静电平衡条件可知： 由电守恒定律可知： ②将B板接地，求电荷分布 解方程得: 电荷分布： 场强分布： 由迭加原理得： EⅡ EⅢ EⅠ Ⅱ Ⅲ a 点： b 点： A板 接地时： 电荷分布 ②将B板接地，求电荷分布 场强分布 两板之间 两板之外 例题 计算导体球（半径r1）和导体球壳（半径R1和R2）（导体球电量q、球壳电量Q）的电势差 解： 由高斯定理知，球体和球壳区域的电场为 R2 R1 r1 q -q Q+q 球和球壳之间区域的电势 §9.2 电容 电容器 一.孤立导体的电容 孤立导体的电容 例如:孤立导体球的电容 电容：导体储存电荷能力的度量。 二、电容器及其电容 被电介质分隔开的两个相距较近的导体所组成的系统，称为电容器 平板电容器 柱形电容器 球形电容器 电容器的电容 三、电容器电容的计算 （一）计算电容器电容的一般方法： * 令电容器的两极板带等值异号的电荷Q; * 求出两极板之间的电场强度; * 计算两极板间的电势差UAB ; * 由电容的定义 C = q / UAB 求得电容 。 下面计算几种常见电容器的电容： 1. 平行板电容器 已知： ? 设A、B 分别带电 +q 、- q ? A、B间场强分布 ? 电势差 ? 由定义 讨论 C 与d 、S 有关 （二）几种常见电容器的电容 ２. 球形电容器 已知 ? 设 ? 场强分布 ? 由定义 讨论 或 孤立导体球的电容 平行板电容器的电容（自己证明） ? 电势差 ３. 圆柱形电容器 已知： ?　设 ?　场强分布 ? 电势差 ? 由定义 例.无限长平行直导线的线间电容 已知: 求:单位长度导线间的C 解: ? 设 ? 场强分布 ? 导线间电势差 ? 电容 ◇电容器充满电介质时的电容 设真空电容器的电容为C0,则电介质电容器的电容: C = ?rC0 其中?r称为电介质的相对电容率, ?r=C/C0 .真空C0为1。 平行板电