现代电子材料与元器件_5精选.pptVIP

* 第五章化合物半导体器件 微电子教学部 冯世娟 3506 5.1 pn结 注入比 当pn结加正向电压时，n区向p区注入的电子电流与p区向n区注入的空穴电流之比。 对于同质结， 所以决定同质结注入比的是掺杂浓度，要得到高注入比pn结的 一边应高掺杂。所以一般作为发射极的材料都是重掺杂。 5.1 pn结 注入比 对于异质结， 禁带宽度是决定异质结注入比的关键因素。对于p-GaAs/n-Al0.3Ga0.7As异质结，其注入比大约为7.4×105。 在晶体管、半导体激光器中，注入比是一个很重要的物理量，它决定了晶体管的放大倍数、激光器的阈值电流和注入效率等。这是因为在总电流中，只有注入到基区（或作用区）中的少子才对器件有作用。而在异质结中可以用宽带材料做效率很高的发射极，这是异质结器件的一个重要优点。 5.1 pn结 注入比 对于突变异质结， 对于缓变异质结， 因此为了得到有利的注入比，可选择适合的长度和渐变方式，从而使能带图趋于平滑。 一般来说，异质结晶体管的发射结都是采用缓变的。 MESFET是金属-半导体-场效应晶体管的缩写。实用场效应晶体管的JFET形式于1953年实现，而MOSFET形式则于1960年实现。 由于硅材料的独特的、接近理想的天然氧化物性质，所以MOSFET只使用硅材料。 MESFET更适合用化合物半导体制备，GaAs已成为制作这种器件的主流材料。与JF