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【实例】基于固相扩散的半导体掺杂 本征半导体——掺杂半导体-施主、受主 球形容器： 相同体积，表面积最小 【例】制造晶体管的方法之一是将杂质原子扩散进入半导体材料，如果单晶硅中，硅片厚度为0.1cm，其中每107个硅原子中含有一个磷原子，而表面上是涂有每107个硅原子中有400个磷原子，计算浓度梯度：1）每厘米上原子百分数？2）每厘米上单位体积的原子百分数。 注：硅-晶格常数a=0.5431nm 无浓度梯度时的扩散 低浓度——高浓度 玻璃分相、晶界上溶质偏聚、固溶体中元素偏聚 热力学原理：扩散的根本驱动力——化学位（势）梯度 化学位梯度包括一切影响扩散的外场：电场、磁场、应力场等 仅当化学位梯度为零时，系统扩散达平衡 扩散的布朗运动理论 固体中质点扩散本质——无规布朗运动 与浓度梯度无关 无序扩散——热起伏、热活化，质点迁移 三维周期性势垒，晶体结构束缚 爱因斯坦（Einstein，1905）首先用统计方法得到扩散方程，并使宏观扩散系数与质点的微观运动得到联系 6)本征扩散、非本征扩散 本征——热起伏引起点缺陷-扩散 空位 间隙 非本征——杂质、非化学计量 有效跃迁两条件 原子跃迁频率，跃过能垒ΔG的能力 易位概率，质点周围空位概率，~空位浓度 * 杨为中 材 料 物 理 化 学 * 9-2 扩散的热力学条件 Fick定律——定向宏观物质流-浓度梯度导致大量