电工技术电子技术（电工学III）教学课件作者武丽第11章半导体存储器及其应用课件.pptVIP

11.4.1 闪存的单元电路结构 利用热电子注入或隧道效应可以向浮栅注入和释放电子。当浮栅中注入电荷后，它就可部分抵消掉来自控制栅的电场，并改变这个导电沟道单元的阈值电压。在进行读操作时，向控制栅加特定的电压，那么根据阈值电压的高低，MOSFET源(S)极和漏(D)极之间会变得导电或保持绝缘，该工作状态就能以二进制码的方式读出、再现存储的数据。可见，叠栅MOS管的工作状态处于导通还是截止是由控制栅所加电压和浮栅上的电荷保存情况共同决定的。 * * 电子技术（电工学Ⅱ） 第11章 半导体存储器及其应用 11.4.1 闪存的单元电路结构 * * 图11-15 叠栅MOS管的结构图和电气符号 电子技术（电工学Ⅱ） 第11章 半导体存储器及其应用 11.4.1 闪存的单元电路结构 * * 图11-16 闪存基本存储单元结构 闪存的基本存储单元结构如图11-16所示。 电子技术（电工学Ⅱ） 第11章 半导体存储器及其应用 11.4.1 闪存的单元电路结构 进行读操作时，可以看到如果给字线上加上适当电压，位线上便可读取到相应的电压值。 1．若浮空栅上保存有电荷，则在源(S)极和漏(D)极之间形成导电沟道，达到一种稳定状态，可以定义该基本存储单元电路保存信息“0”。 2．若浮空栅上没有电荷存在，则在源(S)极和漏(D)极之间无法形成导电沟道，为另一种稳定状态，可以定义它保存信息“1”。 当写入数据时，由于浮栅周围是绝缘体(比如二氧化硅)，必须在相对高的电压下先擦除其中全部内容，然后再通过热电子注入或者隧道效应这种非导体接触方式，向浮栅中充入电荷完成写入。由于写入数据前必须先擦除数据，以致闪存写入速度始终无法赶上RAM。 * * 电子技术（电工学Ⅱ） 第11章 半导体存储器及其应用 11.4.2 闪存的特点 闪存是一种兼具RAM和ROM功能特点的新型存储产品，对其特点可以归纳于下： 1．非易失性存储元件，存储数据掉电不丢失，可有效保存数年以上，可实现很高的信息存储密度。 2．可按字节和区块或页面快速进行擦除和编程操作，也可按整片进行擦除和编程，页面访问速度快。 3．在通常的工作状态下，采用工作电源供电，即可实现编程操作，支持上百万次的反复编程。 4．支持在线擦除与编程，擦除和编程写入均无需取下芯片。 5．片内有命令寄存器和状态寄存器，因而具有内部编程控制逻辑，当进行擦除和编程写入时，可由内部逻辑控制操作。 * * 电子技术（电工学Ⅱ） 第11章 半导体存储器及其应用 * * * * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 可编程只读存储器（PROM）是一种用户可直接向芯片写入信息的存储器，这样的ROM称为可编程ROM，简称PROM。向芯片写入信息的过程称为对存储器芯片编程。存储单元多采用熔丝－－低熔点金属或多晶硅，写入时设法在熔丝上通入较大的电流将熔丝烧断。可编程只读存储器的电路结构示意图如图11-4所示。 11.2.2 可编程只读存储器 图11-4 可编程只读存储器的电路结构示意图 电子技术（电工学Ⅱ） 第11章 半导体存储器及其应用 * * 可擦除可编程只读存储器允许对芯片进行反复改写，根据对芯片内容擦除方式的不同，可分为紫外线擦除方式和电擦除可编程方式。（1） EPROM紫外线擦除方式。 11.2.3 可擦除可编程只读存储器 图11-5 Intel 2716引脚排列及逻辑功能示意图 电子技术（电工学Ⅱ） 第11章 半导体存储器及其应用 * * （2） E2PROM紫外线擦除方式。 11.2.3 可擦除可编程只读存储器 图11-6 Intel 2816引脚排列及逻辑功能示意图 电子技术（电工学Ⅱ） 第11章 半导体存储器及其应用 * * ROM的应用广泛，如用于实现组合逻辑函数、进行波形变换、构成字符发生器以及存储计算机的数据和程序等。 从ROM的电路结构示意图11-2可知，只读存储器的基本部分是与门阵列和或门阵列，与门阵列实现对输入变量的译码，产生变量的全部最小项，或门阵列完成有关最小项的或运算，因此从理论上讲，利用ROM可以实现任何组合逻辑函数。 11.2.4 ROM的应用 电子技术（电工学Ⅱ） 第11章 半导体存储器及其应用 * * 用ROM实现组合逻辑函数可按以下步骤进行： 1．列出函数的真值表。 2．选择合适的ROM，对照真值表画出逻辑函数的阵列图。 用ROM来实现组