电子技术基础教学课件作者詹新生电子技术参考答案课件.docVIP

参考答案 习题1 1.1填空题 （1）热敏性、光敏性、掺杂性；（2）N，P；（3）三价，五价；（4）正，负，负，正；（5）单向导电性，导通，截止；（6）锗管，硅管；（7）0.1V，0.5V，0.2~0.3V，0.6~0.7V 1.6 a）11V；b）6.7V；c）5V。 习题2 2.1填空题 （1）正偏，反偏；（2）电流，基极，集电极；（3）放大，饱和，截止；（4）0，短路；（5）非线性，饱和，截止；（6）射极输出器，1，同相，大，小；（7）阻容，变压器，直接；（8）负载，信号源内阻；（9）放大功率，放大电压；（10）360°，180°，180°；(11)效率，78.5%；，交越失真，甲乙类；（13）耦合，电源。 2.2 选择题 （1）A，B；（2）C；（3）B；（4）A；（5）B；（6）B；（7）C；（8）A；（9）C；（10）C；（11）C。 2.3判断题 （1）√；（2）×；（3）√；（4）×；（5）×；（6）√。 2.4 在（a）图中，①是发射极，②是集电极，③是基极；是NPN锗管。在（b）图中，①是集电极，②是发射极，③是基极；是PNP硅管。 2.59 在（a）图中，②号管脚电流为4.1mA，方向为流出；①是基极，②是发射极，③是集电极；是NPN管。在（b）图中，②号管脚电流为6mA，方向为流出；①是基极，②是集电极，③是发射极；是PNP管。 2.6 （a）NPN硅管，VC＞VB＞VE，发射结正偏，集电结反偏，三极管处于放大状态；（b）PNP锗管，VE＞VB＞VC，发射结正偏，集电结反偏，三极管处于放大状态；（c）PNP硅管，VE＞VB＞VC，发射结正偏，集电结反偏，三极管处于放大状态；（d）NPN硅管，VB＞VE，发射结正偏，VB＞VC，集电结正偏，三极管处于饱和状态；（e）NPN硅管，VE＞VB，发射结反偏，VC＞VB，集电结反偏，三极管处于截止状态。 2.7（1）IBQ＝0.03mAICQ＝.8mA，UCQ＝IBQ＝0.03mA，ICQ＝.65mA，UCQ＝IBQ＝0.03mAICQ＝mA，UCQ＝3.1选择题 （1）B；（2）B；（3）D；（4）B；（5）A 3.2 (1)P沟道耗尽型场效管(2) UGS(off)=4V(3) IDSS=8mA 3.4 Au=5、ri=2MΩ、ro=5KΩ 4.3 判断题 (1) ×；(2)×；(3)√；(4)√；(5) ×；(6)√；(7)√。 4.4 （a）（b）（a）；（b）；（c）1）传输特性曲线： UREF=3V UREF=-3V (2)输出电压波形： 4.10 此电路为滞回电压比较器上触发电平和下触发电平分别为+3V和-3V，其传输特性如下图。 4.11 （1）整流二极管的选择：求通过每个二极管的平均电流为mA，变压器次级电压有效值为，V，得最大反向工作电压为V，查手册, 2CZ54B的参数可以满足要求。 （2）选择滤波电容器 电容器的容量，μF；电容器耐压为 （1.5~2）U2=（1.5~2）×20=30~40 V，因而确定选用1000μF/50 V的电解电容 4.12（1）调整元件：VT1；基准电路：R1、VDZ；取样电路，R2、RP、R3；比较放大电路：A。 （2） V。 电压调节范围9.6~5.1V 4.13（1）＋12V；（2）1脚输入端，2脚输了出端，3脚接地端；（3）17V；（4）17/1.2＝14.17V；（5）图中C1为电源滤波电容（电解电容）；C2为抗干扰电容，用以旁路在输入导线过长时窜入的高频干扰脉冲；C3具有改善输出瞬态特性和防止电路产生自激振荡的作用；所接二极管VD对稳压器起保护作用。当输入端短路且C3容量较大时，如不接二极管，C3上的电荷将通过稳压器内电路放电，可能使集成块击穿而损坏。接上二极管后，C3上电压使二极管正偏导通，电容通过二极管放电从而保护了稳压器。 习题5 5.1填空题 （1）正弦波振荡电路、非正弦波振荡电路；（2）RC振荡电路、LC振荡电路、石英晶体振荡电路；（3）放大电路的开环放大倍数与正反馈网络的反馈系数的乘积应等于1，即反馈电压的大小必须和输入电压相等。基本放大电路的相位移与反馈网络的相位移的和等于0或2π的整数倍，即电路必须引入正反馈。；（4）选频；（5）放大电路、正反馈网络、选频网络、稳幅环节；（6）放大电路，1/3，0°；（7），。 5.2选择题 （1）C；（2）A；（3）B；（4）A；（5）B；（6）C；（7）A；（8）B、C。 5.3 判断题 （1）× ；（2）√；（3）×；（4）√。 5.4 a）不能；（b）能；（c）能；（d）能