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电子技术基础 第3章 场效应管及其放大电路 3.1场效应晶体管 3.1.1场效应晶体管的结构、符号及工作原理 1.增强型绝缘栅场应管 (1)结构与符号 3.1场效应晶体管 3.1.1场效应晶体管的结构、符号及工作原理 1.增强型绝缘栅场应管 (2)N沟道增强型MOS管的工作原理 3.1场效应晶体管 3.1.1场效应晶体管的结构、符号及工作原理 2.耗尽型绝缘栅场效应晶体管 (1)结构与符号 3.1场效应晶体管 3.1.1场效应晶体管的结构、符号及工作原理 2.耗尽型绝缘栅场效应晶体管 (2)N沟道耗尽型MOS管的工作原理 3.1场效应晶体管 3.1.2场效应晶体管的特性曲线 1.转移特性曲线 3.1场效应晶体管 3.1.2场效应晶体管的特性曲线 2.输出特性曲线(漏极特性曲线) 3.1场效应晶体管 3.1.3场应管的主要参数 1.开启电压UGS(th)、夹断电压 U GS(off) 指UDS等于某一定值,使漏极电流ID等于某一微小电流时的栅、源之间的电压UGS。 2.跨导gm 它是表示栅源电压对漏极电流控制作用大小的参数,也是表示场效应晶体管放大能力的参数。 3.饱和漏极电流IDSS 它是指耗尽型MOS管在UGS=0时,外加的漏极电压使MOS管工作在恒流区时,对应的漏极电流。 4.直流输入电阻RGS 指UDS一定值时,栅源之间的直流电阻。 5.击穿电压U(BR)GS 管子发生击穿,ID急剧上升时的UDS值,使用时UGSU(BR)GS。 ) 3.2 场应管放大电路 3.2.1共源放大电路静态分析 1.自偏压电路 3.2 场应管放大电路 3.2.1共源放大电路静态分析 2.分压式偏置电路 3.2 场应管放大电路 3.2.2 共源放大电路动态分析 1.场效应晶体管的微变等效电路 3.2 场应管放大电路 3.2.2 共源放大电路动态分析 2.共源放大电路的微变等效电路 电子技术基础
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