中科大陈初升《材料中的速率过程》习题解答汇总.pptxVIP

中科大陈初升《材料中的速率过程》习题解答汇总.pptx

  1. 1、本文档共28页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
《材料中的速率过程》习题解答汇总Tsing 2016.064-1 w(C)=0.85%的普碳钢加热到900℃在空气中保温1h后外层碳浓度降低到零,假如要求零件表层的碳浓度为0.8%,表面应车去多少深度?(已知900℃时,DCγ=1.1×10-7 cm2/s)解: 该模型属于一维恒扩散源半无限长模型,可用误差函数求解 Cs=0C0=0.85%C(x,3600)=0.8%DCγ=1.1×10-7 cm2/s 查表得erf(1.34)=0.9419 则 x=0.053 cm 表面应车去0.053 cm4-2 纯铁在950℃渗碳10h,所用渗碳气氛足以维持表面碳浓度为1.1%,分别求距表面0.5、1.0、1.2、1.5、2.0mm处的碳浓度,然后作出渗层内碳的浓度分布曲线。(已知950℃时,DCγ=5.8×10-2 mm2/h)。解: 由题意,钢件渗碳可作为半无限长物体扩散问题处理 扩散后碳浓度分布: 代入Cs=1.1%,C0=0,DCγ=5.8x10-2 mm2/h,t=10h,得: ,令 则距表面0.5、1.0、1.2、1.5、2.0 mm处的碳浓度为xβerf(β)C(x)0.50.330.3590.705%1.00.660.6490.386%1.20.790.7360.290%1.50.980.8340.183%2.01.310.9360.070%得渗层内碳的浓度分布曲线:4-3 20钢在930℃渗碳,若渗层深度定为从表面起测量到碳含量为0.4%的位置,求渗层深度与时间的关系。(设气氛的渗碳能力很强,可使表面碳浓度达到奥氏体中碳的饱和值Cs=1.4%,此时DCγ=3.6×10-2 mm2/h)解:20号钢的20是指含碳量,含碳量为0.2%,属于低碳钢。 该模型属于一维恒扩散源半无限长模型,可用误差函数求解 即有 由题目,Cs=1.4%,C0=0.2%,C(x,t)=0.4%,DCγ=3.6×10-2 mm2/h=10-11 m2/s, 则有 即: 查表, 即有, 所以可得时间与浓度关系为,t(s),x(m)??r?根据Fick第一定律?联立得到D(C)=?l????????c. 碳酸饮料中二氧化碳的渗透问题?由于瓶内压力变化很慢,我们采用稳态近似处理,设瓶外的分压为零利用Fick第一定律的渗透形式:p/atm????????x/m?L 即可得到90h后瓶内的压力为1.736atm?*如果按照非稳态情况处理:用Fick第二定律的渗透形式??解: 此扩散过程符合一维半无限长扩散模型,此模型有解析解???等式两边取对数?lnCR由以上拟合曲线可得,?比较系数有,??a solar converter is being created by diffusing phosphorus(磷) into a silicon wafer that has been uniformly doped with boron concentration. A p-n conjunction will be formed at the depth where the phosphorous concentration is equal to the boron concentration.The boron(硼) concentration in the silicon is 1016 atoms/cm3. During the diffusion process, the phosphorus concentration on the surface is held at 1020 atoms/cm3. The diffusion coefficient of phosphorus at the temperature of interest is 10-12cm2/s. (a)if the diffusion is carried out for one hour, at what depth will a p-n junction be formed? (b)what total diffusion time is required to place the p-n junction at double the depth determined in part a ? 分析:?解答与讨论?T=x^2*k修改21.41 In this problem, we examine a model for the transport of oxygen from air in the lungs to blood. First, show that, for the initial and boundary cond

文档评论(0)

2232文档 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档