电子科学与技术_专业英语_第三章大部分翻译教案.doc

电子科学与技术 专业英语 第三章大部分翻译 （P139）3.1晶界生长与外延 正如前面第一章所讨论的那样，在分立器件和集成电路中最重要的两种半导体是硅和砷化镓，在这一章我们叙述这两种半导体的常用的单晶生长技术，基本的工艺流程是从原料到抛光晶片，原料经过化学处理做成一个用来生长单晶的高纯多晶半导体。单晶硅锭铸形，以定义材料的直径，这些晶片经过腐蚀和抛光来提供一个光滑的特定的且器件将做在上面的表面。 一种和单晶生长密切相关的技术包含一个单晶半导体层在一个单晶半导体衬底的生长，这叫外延，它是从希腊语epi和taxis得来的，外延工艺提供了一种重要的控制掺杂形貌的技术，以至于器件和电流性能可以被优化。例如，一个掺杂浓度相称低的半导体层可以在一个同型掺杂而浓度很高的衬底外延生长，通过这种方式和衬底相关联的体电阻将被充分地减少，许多新的器件结构，特别是微波和光学器件，可以通过外延工艺制得。在这章的后面我们将考虑讨论一些重要外延生长技术。 （p140）3.2从熔体生长单晶 从熔体生长单晶有两种基本方法，直拉法和布里奇曼法，用于半导体行业的充足百分比的硅单晶是通过直拉法制备的，实际上所有的用于集成电路制造的硅都是用这方法制备的。大部份的砷化镓，在另一方面，是通过布里奇曼法生长的。然而，直拉法在生长大直径的砷化镓方面变得越来越流行。 3.2.1原始材料 硅的起始材料是一种