集成电路IC工艺.pptVIP

第3章 IC制造工艺 3.2.1 外延生长 3.2.2 掩膜制作 3.2.3 光刻 3.2.4 刻蚀 3.2.5 掺杂 3.2.6 绝缘层形成 3.2.7 金属层形成 3.2 集成电路加工过程简介 硅片制备（切、磨、抛） *圆片（Wafer）尺寸与衬底厚度： 2??— 0.4mm 3??— 0.4mm 5??— 0.625mm 4??— 0.525mm 6??— 0.75mm 硅片的大部分用于机械支撑。 3.2.1 外延生长(Epitaxy) 外延生长的目的 半导体工艺流程中的基片是抛光过的晶圆基片,直经在50到200mm(2-8英寸)之间,厚度约几百微米。 尽管有些器件和IC可以直接做在未外延的基片上,但大多数器件和IC都做在经过外延生长的衬底上。原因是未外延过的基片性能常常不能满足要求。外延的目的是在衬底材料上形成具有不同的掺杂种类及浓度,因而具有不同性能的单晶材料。 可分为同质外延和异质外延。 不同的外延工艺可制出不同的材料系统。 Si基片的卤素生长外延 在一个反应炉内的SiCl4/H2系统中实现：在水平的外延 金属有机物化学气相沉积（MOCVD: MetalOrganic Chemical Vapor Deposition） III-V材料的MOCVD