8寸晶棒损伤实报告.pptVIP

* 保密 8寸晶棒损伤实验报告 戴佳 2009.05.31 目录 1.背景 2.损伤层分析 3.实验数据 4.结论 * 背景 实验目的: 了解8寸单晶晶棒,一刀滚圆和两刀滚圆后圆弧损伤层对硅片良率，崩边，碎片，半截片影响 实验设计: 滚圆岗位在SK5上面分别滚圆两刀磨的晶棒,和一刀磨的晶棒.再由下图位置放置在MB设备进行切割. 第一刀: F1 M1 第二刀: F1 M1 位置依次更换切割6刀 实验总共进行切割了6刀,中途因MB设备需要切割6寸晶棒,导致实验停止. 实验要求: 8寸晶棒直径200M以上,第一刀滚圆直径到:197MM,第二刀直径滚圆到:195±0.5MM * 实验棒 正常棒 实验棒 正常棒 损伤层分析 * 线开方 滚磨 一刀磨和两刀磨图片 切片 说明: 开方表面损伤13um 滚磨圆弧损伤