三维高密度集成电路中锥形硅通孔电特性..docVIP

在低频段，(C + 2Cm )及(G + 2Gm )随p完全相反，如表3.1所示，它们对Zdiff实部部分抵消，在高频区间，随p增大，(L?Lm) 增大且(C + 2Cm )及(G + 2Gm )。，p的不断提升，在低频区间里，Zdiff实部不发生改变而且在高频，Zdiff实部提升，如图3.8（c）中所示。另一方面，随p增大，R和Cox1仍保持不变且(2CSi1 + CSi2) 减小，进而从式（61）及式（62）也可得出此相同结论。 在整个频段之内，(C + 2Cm )及(G + 2Gm )随r4变化趋势和它们随p变化趋势相同，如表3.1中所示。此外由于R主要由r1决定，而非由r4决定，所以R只随r4增大缓慢减小。因此，和Sd2d1幅度情况类似，Zdiff的实部随r4变化和它随p变化类似，如图3.8（c）及（d）所示。 最后，分析了σSi 对Zdiff的实部影响，如图3.8（e）中所示。在低频段内，由于此时(C + 2Cm )及(G + 2Gm )对Zdiff实部部分抵消Zdiff的实部随着σSi慢慢降低。在中频，随着σSi不断提升，区间(C + 2Cm )及(G + 2Gm )增大，所以Zdiff的实部减小。在高频段内，由于在式（62）中Cox1 (2CSi1 + CSi2) ，所以Zdiff的实部主要由Cox1决定，它不随σSi变化。所以，Zdiff的实部在高频段内随σS