广工 半导体物理与器件总复习2.ppt

复习内容 一、 基本概念 1 突变结，线性缓变结，单边突变结 2. 空间耗尽区，耗尽层近似： 3.正向注入（扩散），反向抽取（漂移） 正偏时：扩散流大于漂移流，n区电子扩散到p区（-xp)处积累成为p区的少子；p区的空穴扩散到n 区的（xn）处积累成为n区的少子。这一过程称为正向注入。 反偏时：p区的电子漂移到n区，n区的空穴漂移到p区，这一过程称为反向抽取 二极管的基本原理和公式 （1）pn结空间耗尽区的电荷、电场、电势的分布 （2）pn结的内建电势 4.二极管的存贮延迟时间和反向恢复时间及其物理根源 存贮延迟时间和反向恢复时间的定义？ 5.功函数，电子亲和势， 6.欧姆接触、整流接触 二 画图题 平衡态时pn结，nn结，pp结的能带图 pn结均匀突变结和线性缓变结的空间耗尽区的电荷、电场、电势的分布图 3. 整流接触和欧姆接触的能带图（四种情况、平衡态，非平衡态） 4.发射区的发射效率、基区传输系数和三极管的放大系 数的定义 四。画图题 三极管在平衡态下的能带图、电荷、电场、电势的分布图 * * 半导体物理与器件复习2 突变结 线性缓变结 杂质分布 x0, N(x)=NA x0, N(x)=ND N(x)= ax 0 xn -xp eNd ? 单边突变结