场效应晶体管参数测试仪的设计场效应晶体管参数测试仪的设计.doc

西 安 邮 电 大 学 毕 业 设 计（论 文） 题 目： 场效应晶体管参数测试仪的设计 院 （系）： 电子工程学院 专 业： 集成电路设计与集成系统 班 级： 学生姓名： 导师姓名： 职称： 起止时间： 目录 1 引言 1 2 总体方案设计 2 3 硬件电路设计 4 3.1 输出特性曲线的测试 4 3.1.1 漏极扫描电压 5 3.1.2 栅极阶梯电压 7 3.1.3 测量点及测量方式 9 3.1.4 输出特性曲线测试电路的整合 10 3.2 场效应晶体管的参数测试 11 3.2.1 结型场效应晶体管的夹断电压VP 11 3.2.2 绝缘栅型场效应晶体管的开启电压VT 16 3.2.3 饱和漏电流IDSS 17 3.2.4 低频跨导测量方法 17 3.3 转移特性曲线的测试 18 3.3.1 漏极稳压电源 19 3.3.2 栅极扫描电压 19 3.3.3 转移特性的测量 20 3.4 保护电路设计 20 3.4.1 过流和过压保护 20 3.4.2 其他保护措施 22 3.5 单片机端口的连接 22 4 软件设计与流程图 23 4.1 软件设计 23 4.2 软件流程图 24 5 结论 25 5.1 各模块的测试结果 25 5.2 综合测试 25 5.3 总结 26 致 谢 27 参考文献 28 附件 29 摘 要 场效应晶体管与普通晶体管相比，具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件，具有与电子管相似的传输特性。随着电子技术的飞速发展，场效应晶体管尤其是MOSFET已广泛应用于电源、计算机、通信、汽车电子、工业控制及消费类电子产品等领域。因此，对场效应晶体管相关参数的测试技术和测试手段的研究尤为重要。 本文介绍一种场效应晶体管参数测试仪的设计方法。以51单片机为控制核心，通过测量电路将场效应晶体管的参数显示在示波器或数字显示表上。系统由阶梯电压信号、扫描电压、可调稳压电源、保护电路等模块组成。可以准确测量场效应晶体管的输出特性曲线、转移特性曲线、开启电压（夹断电压）、饱和漏源电流（IDSS）等参数。系统设计了保护电路，可以有效监测器件的测量状态，并使用过流/过压保护功能来保护被测器件和测量系统的安全。 关键词：场效应晶体管、参数测试、保护电路、51单片机 Abstract Comparing with ordinary transistor, the field-effect transistor has many advantages, such as high input impedance, low noise figure, good thermal stability and large dynamic range, which is a voltage-controlled device with the similar transmission properties of electron tube. With the rapid development of electronic technology, field-effect transistor, especially MOSFET has been widely used in the field of power supply, computer, communications, automotive electronics, industrial control and consumer electronics products. Therefore, research on testing techniques and test means of field-effect transistor parameters is particularly important. This article describes the design of a field effect transistor parameter tester. 51 microcontroller for the control of the core, the field-effect transistor measurement circuit pa