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光电二极管.
光电二极管(Photo-Diode)和普通二极管一样,也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流/view/1141392.htm元件,而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。原理:普通/view/1016.htm二极管在/view/2979173.htm反向电压作用时处于截止状态,只能流过微弱的反向/view/10897.htm电流,/view/615249.htm光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大,以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用下工作的,没有光照时,反向电流极其微弱,叫/view/412806.htm暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到几十微安,称为/view/2397653.htm光电流。光的强度越大,反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成/view/1520474.htm电信号,成为/view/479137.htm光电传感器件。PN型特性:优点是暗电流小,一般情况下,响应速度较低。用途:照度计、彩色传感器、光电三极管、线性图像传感器、分光光度计、照相机曝光计。PIN型特性:缺点是暗电流大,因结容量低,故可获得快速响应。用途:高速光的检测、光通信、光纤、遥控、光电三极管、写字笔、传真。检测方法①电阻测量法用万用表1k挡。光电二极管正向/view/3571.htm电阻约10MΩ左右。在无光照情况下,反向电阻为∞时,这管子是好的(反向电阻不是∞时说明漏电流大);有光照时,反向电阻随光照强度增加而减小,阻值可达到几kΩ或1kΩ以下,则管子是好的;若反向电阻都是∞或为零,则管子是坏的。②电压测量法用万用表1V档。用红表笔接光电二极管“+”极,黑表笔接“—”极,在光照下,其电压与光照强度成比例,一般可达0.2—0.4V。③短路电流测量法用万用表50μA档。用红表笔接光电二极管“+”极,黑表笔接“—”极,在/view/23342.htm白炽灯下(不能用日光灯),随着光照增强,其电流增加是好的,短路电流可达数十至数百μA。主要技术参数:1.最高反向工作电压;2.暗电流;dark current 也称无照电流/view/589855.htm光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下,光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系,当IF=0时,发光二极管不发光,此时的光敏晶体管集电极输出电流称为/view/412806.htm暗电流,一般很小。 此外在生理学方面,是指在无光照时视网膜视杆细胞的外段膜上有相当数量的Na离子通道处于开放状态,故Na离子进入细胞内,形成一个从外段流向内段的电流,称为暗电流(dark current)。 暗电流是指器件在反偏压条件下,没有入射光时产生的反向直流电流.(它包括晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载流子热扩散形成的本征暗电流.) 所谓暗电流指的是光伏电池在无光照时,由外电压作用下P-N结内流过的单向电流。 光电倍增管在无辐射作用下的阳极输出电流称为暗电流3.光电流;4.灵敏度;5.结/view/3686.htm电容;6.正向压降;7.响应度响应度是光生电流与产生该事件光功率的比。工作于光导模式时的典型表达为A/W。响应度也常用量子效率表示,即光生载流子与引起事件光子的比。8.噪声等效功率噪声等效功率(NEP)等效于1赫兹带宽内均方根噪声电流所需的最小输入辐射功率,是光电二极管最小可探测的输入功率。9.频率响应特性光电二极管的频率特性响应主要由3个因素决定:a.光生载流子在耗尽层附近的扩散时间;b.光生载流子在耗尽层内的漂移时间;c.负载电阻与并联电容所决定的电路时间常数。光电二极管与光电倍增管相比,具有电流线性良好、成本低、体积小、重量轻、寿命长、量子效率高(典型值为80%)及无需高电压等优点,且频率特效好,适宜于快速变化的光信号探测。不足是面积小、无内部增益(雪崩光电管的增益可达100~1000,光电倍增管的增益则可达100000000)、灵敏度较低(只有特别设计后才能进行光子计数)以及相应时间慢,且工艺要求很高。光电二极管和一般的半导体二极管相似,可以暴露(探测真空紫外)或用窗口封装或由光纤连接来感光。工作原理:光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个/view/49290.htmPN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,/view/609350.htm电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,一般小于1微米。光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时,反向电流很小(一般小于0.1微安),称为暗电流。当有光照时,携带能量的/view/9448.htm光子进入PN结后,把能量传给共价键上的束缚电子,使部分电子挣脱共价键,从而
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