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低频电子线复习题一 1.1在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是[] NPN型硅管 PNP型硅管 NPN型锗管图1.12V6V PNP型锗管1.3V 1.2某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[] 饱和 放大 截止图1.2 已损坏 1.3在如图1.3所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[] A.I=2mAB.I2mA C.I2mAD.不能确定 图1.3 1.4在如图1-7所示电路中电源V=5V不变。当温度为20OC时测得二极管的电压UD=0.7V。当温度上生到为40OC时,则UD的大小将是[] A.仍等于0.7VB.大于0.7V C.小于0.7VD.不能确定 图1.4 1.5在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[] A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷 1.6对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是[] A.ICBOB.ICESC.ICERD.ICEO 1.7二极管的主要特性是[] A.放大特性B.恒温特性 C.单向导电特性D.恒流特性 1.8温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[] A.增大B.减少C.不变D.不能确定 1.9下列选项中，不属三极管的参数是[] A.电流放大系数βB.最大整流电流IF C.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM 1.10温度升高时，三极管的β值将 A.增大B.减少C.不变D.不能确定 1.11在N型半导体中，多数载流子是[] A.电子B.空穴C.离子D.杂质 1.12下面哪一种情况二极管的单向导电性好[] A.正向电阻小反向电阻大B.正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小D.正向电阻反向电阻都大 1.13在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1mA,反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[] A.0.1mAB.2.5mA C.5mAD.15mA 图1.13 1.14在P型半导体中，多数载流子是[] A.电子B.空穴C.离子D.杂质 1.15下列对场效应管的描述中，不正确的是[] A场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点； B场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET； C场效应管工作时多子、少子均参与导电； D场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。 1.16在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的[] A.可变电阻区B.截止区C.饱和区D.击穿区 1.17表征场效应管放大作用的重要参数是[] A.电流放大系数βB.跨导gm=ΔID/ΔUGS C.开启电压UTD.直流输入电阻RGS 1.18下列选项中，不属场效应管直流参数的是[] A.饱和漏极电流IDSSB.低频跨导gm C.开启电压UTD.夹断电压UP 1.19双极型晶体三极管工作时参与导电的是[] A多子B少子C多子和少子D多子或少子 1.20双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[] A发射结正偏，集电结正偏B发射结正偏，集电结反偏 C发射结反偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏 1.21选择括号中的答案填空（只填答案a、b、c、……）。 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系，（a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺陷） 2、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。(a.大于，b.小于，c.等于，d.变宽，e.变宽f.不变) 3、温度升高时，晶体管的电流放大系数β，反向饱和电流ICBO，正向结电压UBE。(a.变大，d.变小，c.不变) 4、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。(a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e.增大，f.减小，g.不变) 1.22用大于号()、小于号()或等号(=)填空： 1、在本征半导体中，电子浓度空穴浓度； 2、在P型半导体中，电子浓度空穴浓度； 3、在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。 1.23判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。 1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（） 2、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（） 3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（） 4、PN结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（） 5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（） 6、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（） 7、PN结方程可以描述PN结在的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性