薄膜制备的物理方法精选.pptxVIP

薄膜制备的物理方法真空蒸发 化学气相沉积方法由于所得到的薄膜材料是由反应气体通过化学反应而实现的，因此对于反应物和生成物的选择具有一定的局限性。同时，由于化学反应需要在较高的温度下进行，基片所处的环境温度一般较高，这样也就同时限制了基片材料的选取。相对于化学气相沉积这些局限性，物理气相沉积（Physical Vapor Deposition,简称PVD）则显示出独有的优越性，它对沉积材料和基片材料均没有限制。真空蒸发在这一章中将详细介绍物理气相沉积的原理和方法。物理气相沉积过程可概括为三个阶段：从源材料中发射出粒子粒子输运到基片粒子在基片上凝结、成核、长大、成膜真空蒸发 在真空蒸发技术中，人们只需要产生一个真空环境。在真空环境下，给待蒸发物提供足够的热量以获得蒸发所必需的蒸气压。在适当的温度下，蒸发粒子在基片上凝结，这样即可实现真空蒸发薄膜沉积。真空蒸发 大量材料皆可以在真空中蒸发，最终在基片上凝结以形成薄膜。真空蒸发沉积过程由三个步骤组成：蒸发源材料由凝聚相转变成气相在蒸发源与基片之间蒸发粒子的输运蒸发粒子到达基片后凝结、成核、长大、成膜。真空蒸发 基片可以选用各种材料，根据所需的薄膜性质基片可以保持在某一温度下。当蒸发在真空中开始时，蒸发温度会降低很多，对于正常蒸发所使用的压强一般为10-5Torr，这一压强能确保大多数发射出的蒸发粒子具有直线运动轨迹。基片与蒸发源的距离一般保