TiB2复合材料的研究TiB2复合材料的研究.docVIP

TiB2复合材料的研究   　　硼化物陶瓷是一类具有特殊物理性能与化学性能的陶瓷。由于它具有极高的熔点、高的化学稳定性、高的硬度和优异的耐磨性而被作为硬质工具材料、磨料、合金添加剂及耐磨部件等，由此得到广泛应用。同时这类材料又具有优良的电性能，可作为惰性电极材料及高温电工材料而引人注目。近几十年来，世界各国都在加紧研究开发硼化物陶瓷及其复合材料，在硼化物陶瓷材料中，TiB2具有许多优良性能，如熔点高、硬度高、化学稳定性好、抗腐蚀性能好，可广泛应用在耐高温件、耐磨件、耐腐蚀件以及其它特殊要求零件上。相对其它陶瓷材料而言，TiB2具有优良的导电性，易于加工，性能特别优异而被作为最有希望得到广泛应用的硼化物陶瓷。1，1 TiB2的结构特点　　TiB2是具有六方晶系C32型结构的准金属化合物，其完整晶体的结构参数为a=3.028U，c＝3.228U。晶体结构中的硼原子面和钛原子面交替出现构成二维网状结构，其中B－外层有四个电子，每个B—与另外三个B—以共价键相结合，多余的一个电子形成离域大丌键。这种类似于石墨的硼原子层状结构和和Ti外层电子构造决定了TiB2具有良好的导电性和金属光泽，因而可以采取电加工的方法对其进行成型；而硼原子面和钛原子面之间的Ti—B离子键决定了这种材料具有较高的熔点、高硬度、优良的化学稳定性。但在TiB2晶体中，这种a、b轴为共价键，c轴为离子键的特性也导致了其性能的各向异性。在TiB2材料的制备过程中，这种各向异性会导致晶体生长出现择优取向，从而随着晶粒的长大，材料中的残余应力加大，导致大量的微裂纹产生，使材料的机械性能下降。同时在离子键与口键的共同作用下，Ti+与B-在烧结过程中均难发生迁移，因此TiB2的原子自扩散系数很低，烧结性很差。1．2 TiB2的导电性　　TiB2最突出的优点是具有良好的导电性，具有像金属一样的电子导电性以及正的电阻率温度系数，而且优于金属Ti的导电性。常温下，它的电阻几乎可以与Cu相比，这使它能够弥补大部分陶瓷材料的不足，是一种重要的电子陶瓷材料。TiB2优良的导电及机械性能为其在导电材料中的应用开辟了一条新途径。例如，用铜或铜合金作芯，外包镍基TiB2陶瓷涂层形成的复合导电材料性能优越；TiB2覆盖层可用于电导玻璃；TiB2增强铜合金用于电焊；含TiB2涂层的导电棒用于工业生产；TiB2导电橡胶比传统的银导电橡胶更加经济耐用等。利用TiB2的导电及耐磨性可得到性能优良的电接触或电摩擦功能材料。比如，将覆盖铜与TiB2的复合颗粒用于电接触材料的生产；铜与TiB2纤维组成的复合材料用来制造集成电路片，寿命提高10~103倍；Ag—TiB2复合材料作电接触材料比传统的Ag—W复合材料优越等。这方面做的工作很多，表明TiB2有希望成为电接触或电摩擦材料中的优选陶瓷材料。TiB2是性能优良的金属导电陶瓷材料，因而用它作电阻材料也大有潜力。文献报道了TiB2在透明导电材料中被用作电阻阻挡层，通过掺人不同含量的TiB2来调整材料电阻率的功能导电陶瓷；用TiB2制备高稳定性、高精度电阻器；半导体上沉积TiB2与TiSi膜用作高值绝缘材料等。另外，TiB2沉积层还可以用在集成电路中作隔离层或在液晶显示器件中作隔离层。1．3 TiB2的抗氧化性　　TiB2具有良好的抗氧化性。据有关研究报道，在120℃时，在TG中测定，TiB2粉无增重现象。在120-450℃范围内，TiB2粉末在TG中测定，有轻微增重现象。在此温度范围内多次循环，再无增重现象发生。说明在较低温度下(120-450℃)，TiB2的表面已形成了一层氧化保护膜，避免了材料内部继续氧化，因而具有较好的抗氧化能力；温度超过900-1000℃后，TiB2剧烈氧化。根据DAT—TG和XRD的分析结果，可以推定TiB2在450℃左右开始氧化分解，其反应机理是：　　TiB2+5／2O2→→TiO2／B2O3，　　TiB2+9／4O2→TiBO3十1／2　B2O3　　TiB2+1／4O2→TiO2+1／2　B2O3氧化分解产物中B2O3熔点较低(450℃)，熔融的B2O3可以在表面形成一层保护膜，避免材料内部继续氧化，使TiB2具有较好的抗氧化能力。但在1000℃以上，由于B2O3的蒸发，氧化会加速。对SiC—TiB2复相陶瓷的高温氧化及温度对其影响的研究表明：在1000℃以下，SiC—TiB2的抗氧化性与SiC接近；到1200℃以上，氧化明显加快，并随TiB2含量的增加而增快，强度也迅速降低。　1．4 TiB2的应用　　在结构材料方面，由于TiB2高的强度和硬度，可制造硬质工具材料和刀具、拉丝模、喷砂嘴等，同时可以作为各种复合材料的添加剂。例如，采用TiB2颗粒强化的