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驱动器芯片 TPS28225 芯片特点及用途 1.特点： 23?可以驱动2个N沟道MOSFET有14ns的自适应停滞控制 23?MOSFET栅极控制电压范围：4.5~8.8V 最佳为7~8V 23?输入脉宽调制信号幅度：2.0~13.2V 23?每相电流可以=40A 23?高频时有14ns的传播延迟和10ns上升下降时间允许Fsw-2MHz 23?能够传播 30ns PWM脉冲输入 23?低侧可以吸入电阻（0.4Ω）上产生的电流防止MOSFET击穿 23?提供三态脉宽调制（PWM） 23?有热关断功能及UVLO保护 23?含有内部自举二极管 23?高性能替代了流行的三态脉宽调制 2.用途 23?效率要求极高的DC/DC转换器 23?电源稳压器模块 23?笔记本调节器 23?同步整流器的隔离式电源 二、主要参数 TPS28225 VALUE UNIT 输入供电电压范围, VDD(3) –0.3 to 8.8 V Boot电压范围, VBOOT –0.3 to 33 Phase 电压, VPHASE DC –2 to 32 or VBOOT + 0.3 – VDD Pulse 400 ns, E = 20 ?J –7 to 33.1 or VBOOT + 0.3 – VDD 输入电压范围, VPWM, VEN/PG –0.3 to 13.2 输出电压范围, VUGATE VPHASE– 0.3 to VBOOT + 0.3, (VBOOT– VPHASE 8.8) Pulse 100 ns, E = 2 ?J VPHASE– 2 to VBOOT + 0.3, (VBOOT– VPHASE 8.8) 输出电压范围, VLGATE –0.3 to VDD + 0.3 Pulse 100 ns, E = 2 ?J –2 to VDD + 0.3 ESD rating, HBM 2 k ESD rating, HBM ESD rating, CDM 500 工作虚拟结温度范围, TJ –40 to 150 ?C 工作环境温度范围, TA –40 to 125 储存温度, Tstg –65 to 150 焊接温度 (soldering, 10 sec.) 300 三、主要引脚功能 TERMINAL I/O DESCRIPTION SOIC-8 DRB-8 NAME 1 1 UGATE O 上端栅极驱动. 连接到上端的N沟道MOSFET的栅极. 2 2 BOOT I/O 动态的自举引脚。在PHASE与该引脚之间连接了一个自举电容，这个电容为上端的MOSFET充电 3 3 PWM I PWM信号的控制输入PWM信号可以输入三不同的 4 4 GND — 略 Exposed die pad Thermal pad — 直接连接到更好的热性能和EMI的接地 5 5 LGATE O . 连接到下端的N沟道MOSFET的栅极. 6 6 VDD I 至少5V电压供电，与一个旁路电容接到GND 7 7 EN/PG I/O 使能端/信号端 输入输出有1MΩ的阻抗.，使能控制IC。 该引脚为低电平时驱动电流小于 350mA .如果VDD 低于UVLO门槛或温度过大时这个引脚内部会自动拉为低电平 8 8 PHASE I 这个引脚连接了上端MOSFET的源极和下端MOSFET的漏极还为上端MOSFET的栅极提供了返回路径 真值表 PIN VDD RISING 3.5 V OR TJ 160?C VDD FALLING 3 V AND TJ 150?C EN/PG RISING 1.7 V EN/P