硅光电池特性研究要素.pptVIP

硅光电池特性研究 [研究对象] 光电池 光电转换元件，光能转换成电能 常见：硒、锗、硅、砷化镓、氧化铜等 用途：光辐射探测器件，用于气象、农业、林业等；光电自动控制和测量装置…… 原理：光生伏特效应 [实验目的] 掌握PN结形成原理及其单向导电工作机理； 学习发光二极管LED的工作原理，输出光功率与驱动电流的关系； 掌握硅光电池的工作原理、伏安特性、负载特性等基本特性。 [实验仪器] TKGD—1型硅光电池特性实验仪 [PN结的形成及单向导电性] 正偏 零偏 反偏 空间电荷区 耗尽区 无可动载流子 势垒 高阻抗 宽度约为：几微米~几十微米 导通 LED发光机理 零偏 当P型和N型半导体材料结合时，即没有外加电压的零偏时，由于P型材料多数载流子为空穴（带正电荷，Positive charge），而N型材料多数载流子为电子（带负电荷，Negative charge），结果各自的多数载流子向对方扩散，扩散的结果使得电子与空穴在结合区复合，则两侧的P型区出现负电荷，N型区带正电荷，形成一个势垒（对于硅，约为0.7 V），由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行。当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区。耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。 反偏 当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强，更加不利于多数载流子的扩散运动，但有利于由于温度效应被激发的少数载流子的漂移运动，导致极小的反向电流。若干反向电压足够大，则该反向电流将达到一个饱和电流IS(1 μA)； 正偏 当PN结正偏时（图1c），外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，使势垒削弱。当外加电压大于开启电压（对于硅，约为0.5 V），势垒将被消除，多数载流子的扩散运动将持续进行，形成P→N方向的正向电流I，这就是PN结的单向导电性。 [LED工作原理] 当PN结加正向电压时，孔穴与电子在复合时将产生特定波长的光，发光的波长与半导体材料的能级间隙Eg有关，λp=hc/Eg。 发光二极管输出光功率与驱动电流的关系， P=ηEpI/e，η为发光效率，Ep为光子能量。 式中η为发光效率，Ep是光子能量，e是电荷常数 硅光电池的工作原理 光电转换器件主要是利用光电效应（当物质在一定频率的照射下，释放出光电子的现象）： a. 光电子发射或者外光电子效应 b. 内光电子效应 c.光生伏特效应 光电二极管是典型的光电效应探测器。 没有光照时 （3） 其中IS为没有光照射时的反向饱和电流，V为PN结两端电压，T为绝对温度，k为玻尔兹曼常数。 流过PN结两端的电流I可由式（3）确定： （3） 其中IS为没有光照射时的反向饱和电流，V为PN结两端电压，T为绝对温度，k为玻尔兹曼常数，IP为产生的光电流。 当有光照时 室温300 K下，e/kT=26 mV。从式中可以看到，当光电二极管处于零偏时，V=0 V，流过PN结的电流I= IP；当光电二极管处于反偏时（本实验取–5 V），流过PN结的电流I= IP–IS。因此，当光电二极管光电池用作光电池时，光电二极管必须处于零偏，而用作一般的光电转换器时，必须处于零偏或反偏状态。 光电池SPC处于零偏或反偏状态时，产生的光电流IP与输入光功率Pi有以下关系： （4） 式中R为响应率，R值随入射光波长的不同而变化，对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长，在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙Eg，以保证处于价带中的束缚电子得到足够的能量被激发到导带，对于硅光电池其长波截止波长为λT =1.1 μm，在短波长处也由于材料有较大紫外吸收系数使R值很小 左部是光电信号接收端的工作原理框图，光电池把接收到的光信号转变为与之成正比的电流信号(μA级)，再经电流电压转换器(I/V转换器)把光电信号转换成与之成正比的电压信号(mV级)。比较光电池零偏和反偏时的信号，就可以测定光电池的IS。当发送的光信号被正弦信号调制时，则光电池输出