第二章门电路要素.ppt

3 CMOS逻辑门电路 3.1 场效应管的开关特性 3.2 CMOS反相器及其他逻辑门 3.1 场效应管的开关特性 1.概述 场效应管是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。 从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道场效应管和空穴作为载流子的P沟道场效应管。 N沟道场效应管 P沟道场效应管 栅极 源极 漏极 2、场效应管的开关特性 工作原理电路 转移特性曲线 输出特性曲线 ui u0 G D S RD +VDD G D S RD +VDD G D S RD +VDD 截止状态 uiUT uo=+VDD 导通状态 uiUT uo≈0 3.2 CMOS集成门电路 1、CMOS非门 （1）uA＝0V时，TN截止，TP导通。输出电压uY＝VDD＝10V。 （2）uA＝10V时，TN导通，TP截止。输出电压uY＝0V。 2、CMOS与非门、或非门 CMOS与非门 ①A、B当中有一个或全为低电平时，TN1、TN2中有一个或全部截止，TP1、TP2中有一个或全部导通，输出Y为高电平。 ②只有当输入A、B全为高电平时，TN1和TN2才会都导通，TP1和TP2才会都截止，输出Y才会为低电平。 CMOS或非门 ①只要输入A、B当中有一个或全为高电平，TP1、TP2中有一个或全部截止，TN1、TN2中有一个或全部导通，输出Y为低电平。 ②只有当A、B全为