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第六章 化学气相淀积 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 概述 化学气相淀积：CVD——Chemical Vapour Deposition。 定义：一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬 底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。 例如： 热分解SiH4， SiH4 = Si（多晶)+2H2(g) ， SiH4+O2 = SiO2 （薄膜）+2H2 CVD薄膜：SiO2、Si3N4、PSG、BSG（绝缘介质）、 多晶硅、金属（互连线/接触孔/电极）、 单晶硅（外延） CVD系统：常压CVD（APCVD） 低压CVD（LPCVD） 等离子CVD（PECVD） 概述 CVD工艺的特点 1、CVD工艺的温度低，可减轻硅片的热形变，抑制缺 陷的生成，减轻杂质的再分布，适于制造浅结器件及 VLSI； 2、薄膜的成分精确可控、配比范围大，重复性好； 3、淀积速率一般高于物理淀积，厚度范围大； 4、膜的结构完整致密，与衬底粘附好，台阶覆盖性好。 6.1 CVD模型 6.1.1 CVD的基本过程 ①传输：反应剂从气相(平流主气流区)经附面层（边界层） 扩散到（Si）表面； ②吸附：反应剂吸附在表面； ③化学反应：在表面进行化学反应，生成薄膜分子及副产 物； ④淀积：薄膜分子在表面淀积成薄膜； ⑤脱吸：副产物脱离吸附； ⑥逸出：脱吸的副产物和未反应的反应剂从表面扩散到气 相(主气流区)，逸出反应室。 CVD 传输和反应步骤图 6.1 CVD模型 6.1.2 边界层理论 CVD气体的特性：平均自由程远小于反应室尺寸，具有黏滞 性； 平流层：主气流层，流速Um 均一； 边界层（附面层、滞留层）：流速受到扰动的气流层； 泊松流（Poisseulle Flow）：沿主气流方向（平行Si表面）没有 速度梯度，沿垂直Si表面存在速度梯度的流体； 6.1 CVD模型 6.1.2 边界层理论 边界层厚度δ（x）(流速小于0.99 Um 的区域)： δ（x）=（μx/ρU)1/2 μ-气体黏滞系数，x-距基座边界的距离， ρ-气体密度，U-边界层流速； 平均厚度 Re= ρUL /μ,称为雷诺数(无量纲),表示流体惯性力与黏滞力之比 雷诺数取值：2000，平流型；商业CVD：50-100； 2000，湍流型（要尽量防止）。 6.1.3 Grove模型 6.1 CVD模型 6.1.3 Grove模型 ①假定边界层中反应剂的浓度梯度为线性近似，则 流密度为： F1=hg(Cg-Cs) hG-气相质量转移系数， Cg-主气流中反应剂浓度， CS-衬底表面处反应剂浓度； ②表面的化学反应淀积薄膜的速率正比于Cs，则 流密度为： F2=ksCs ③平衡状态下，F1=F2 (= F)，则 Cs = Cg/(1+ks/hg) 6.1.3 Grove模型 Cs = Cg/(1+ks/hg) ④两种极限： a. hg ks时， Cs → Cg ， 反应控制； b. hg ks时， Cs → 0， 扩散控制； 6.1 CVD模型 ⑤薄膜淀积速率G的一般表达式 设形成一个单位体积薄膜所需的原子数为N1，（Si:N1=5x1022cm-3），则稳态下（平衡状态）,由 F=F1=F2 ，F2=ksCs 及Cs = Cg/(1+ks/hg)，得 G=F/N1=F2/N1=[kshg/(ks+hg)](Cg/N1) 其中，Cg=YCT,(多数CVD过程，反应剂被惰气稀释) Y-反应剂的摩尔百分比