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湘潭大学模电老师题
一、填空题
1、少子为空穴的参杂半导体是 ,多子为空穴的参杂半导体是 。
2、N沟道场效应管处于放大状态,栅源电压的极性要求分别是:结型 、增强型MOS管 、耗尽型MOS管 。
3、当希望抑制50Hz交流电源的工频干扰时,应选用的滤波器类型是 ,当希望抑制10KHz以下信号时,应选用的滤波器类型是 。
4、某放大电路的幅频响应曲线如图1所示,则
该放大电路的中频电压放大倍数为Au= 倍,
上限截止频率fH= Hz,在截止频率处
放大器的实际电压增益为 dB。
5、振荡幅值平衡条件是 ,其振荡频率是由 条件决定。
6、三极管电流放大系数(=98,则(= 。
7、需要稳定静态工作点时,引入的反馈是 。若希望提高放大电路的输入电阻应引入的反馈类型是 、需要稳定输出电压,应引入的反馈类型是 。
8、半导体三极管和场效应管,属于双极型器件是 、单极型器件是 ;电压控制型器件是 、电流控制型器件是 。
二、判断题
1、直接耦合多级放大电路的Q点相互影响( ),可以放大直流信号。( )
2、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。( )
3、场效应管是由电压即电场来控制电流的器件。( )
4、放大电路级数越多,引入负反馈后越容易产生高频自激振荡。( )
5、放大器件的极间电容决定高频响应频率、耦合电容与旁路电容决定低频响应频率。( )
6、增强型MOS管工作在恒流区时,其ugs大于零。( )
7、同相比例运算电路中集成运放的共模输入电压为零。( )
8、P型半导体带正电( ),N型半导体带负电。( )
三、分析计算题
1、电路如图所示,T1和T2的饱和压降|UCES|=0V,UBE=0.7V,RL=4Ω,输入电压ui为正弦波。试求:
(1)估算最大输出信号幅值、最大输出信号功率。
(2)估算T1和T2管的最大管耗。
(3)提出改进交越失真的解决方案?
2、放大电路如图,已知:(=80, uBE=0.7V,所有电容视为交流短路。
(1)试确定电路的静态工作点参数;
(2)画出该电路的微变等效电路;
(3)计算
3、试求解输出电压与输入电压的运算关系。
4、电路如图所示,试求:
(1)A1、A2的反馈组态类型;
(2)估算深负反馈条件下的电压增益。
5、电路如图所示,T1和T2管的β均为100,rbb‘=300Ω,UBE=0.7V,ui1=10mv,ui2=30mv。试求:
(1)静态工作点参数;
(2)差模输入电压uid、共模输入电压uic;
(3)差模电压增益Aid、共模电压增益Aic。
6、电路如图所示,RW1、RW2的滑动端位于中点,R1=50KΩ,C=0.01uF,稳压管的稳压值为6V。试求:
(1)画出uo1、uo的波形,标明幅值和周期;
(2)如何调节可以满足频率增大?
(3)如何调节可以满足uo输出幅值增大?
7、电路如图所示,其中R1=R2=R3,R5=R6=R,R7=R8=3R,试求解输出电压与输入电压的运算关系。
8、电路如图所示,试求:
(1)电路的反馈组态类型;
(2)估算深负反馈条件下的电压增益。
9、电路如图所示,T1和T2管的β均为100,rbb‘=300Ω,UBE=0.7V,ui1=10mv,ui2=30mv。试求:
(1)静态工作点参数;
(2)差模输入电压uid、共模输入电压uic;
(3)差模电压增益。
10、电路如图所示,试求:
(1)简要分析电路的振荡工作原理;
(2)推导振荡频率表达式;
(3)如果需要稳定输出幅值,常用的措施有哪些?试提出两种方案。
11、单电源功率放大电路如图所示,功放管的饱和压降忽略不计.
⑴ 静态时A点的电压为多少?
⑵ 如果出现交越失真可以通过调节哪个电阻消除。
⑶.该电路的最大输出功率P0max。
⑷ 对功率管的最大容许管耗Pcm有何要求。
12、放大电路如图,已知:(=60,RB1=60K(,RB2=20K(,RC=3K(,RE=2K(,RL=6K(,UBE=0.6V,电源电压UCC=16V,所有电容视为交流短路。
⑴ 试确定电路的静态工作点Q;
⑵ 画出该电路的微
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