二极管和三极管原理-1.ppt

B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：很薄，面积小，掺杂浓度低 集电区：面积大，掺杂浓度中 发射区：掺 杂浓度高 B E C N N P VBE RB VCE IE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结，形成电流ICE 。 RC IBE 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 ICE IB=IBE -ICBO?IBE IC=ICE+ICBO ?ICE B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IBE ICBO：发射极开路时集电结反向饱和电流 晶体管中的载流子运动和电流分配 JFET Joint Field Effect Transistor 中文名称： 结型场效应管 MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 中文名称： 绝缘栅型场效应管，或称金属氧化物半导体场效应管 场效应管有两种: 四、场效应管（ Field Effect Transistor） 1、结型场效应管（JFET） 具体分为： ① N沟道结型场效应管 ② P沟道结型场效应管 ① N沟道结型场效应管 D G S D G S N P P G（grid） S（source） D（drain） 基底:N型半导体 两边是P区 导电沟道 P N N G（grid） S（source） D（drain） ② P沟道结型场效应管 D G S D G S P G S D UDS UGS N N N N ID 工作原理（以P沟道为例） 设UDS=0V PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 当UGS比较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 ① 栅源电压UGS对导电沟道的影响 P G S D UDS UGS N N UGS达到一定值时（夹断电压VP），耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID 夹断电压 Pinch off voltage 可见，UGS控制着漏源之间的导电沟道。当UGS增加到某一数值VP时，两边耗尽层合拢，整个沟道被耗尽层完全夹断。（VP称为夹断电压）。此时，漏源之间的电阻趋于无穷大，管子处于截止状态。 设UDS=0V P G S D UDS UGS ID ② 漏源电压UDS对漏极电流ID的影响 设UGS Vp且UGS不变 N N 越靠近漏端，PN结反偏越大。沟道中仍是电阻特性，但呈现为非线性电阻。 当UDS较小，UGDVP时 P G S D UDS UGS ID 设UGS Vp且UGS不变 漏端的沟道被夹断，称为预夹断。 当UDS继续增加，UGD＝VP时 N N 若UDS继续增大，则UGDVP ，被夹断区向下延伸。 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 可见，若UGSVP且不变： 当UDS＞0且尚小时，PN结因加反向电压，使耗尽层具有一定宽度，但宽度上下不均匀，这是由于漏源之间的导电沟道具有一定电阻，因而漏源电压UDS沿沟道递升，造成漏端电位低于源端电位，使近漏端PN结上的反向偏压大于近源端，因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。显然，在UDS较小时，沟道呈现一定电阻，ID随UDS而接近线性规律变化。 由于沟道电阻的增大，ID增长变慢了。当UDS增大而使得UGD等于VP时，沟道在近漏端首先发生耗尽层相碰的现象。这种状态称为预夹断。这时管子并不截止，因为预夹断层很薄且漏源两极间的场强足够大，完全可以把向漏极漂移的载流子吸引过去形成漏极饱和电流IDSS。当UGD＞VP时，耗尽层从近漏端开始沿沟道加长它的接触部分，形成夹断区 。 在发生预夹断后，由于耗尽层的电阻比沟道电阻大得多，UDS继续增加的那部分电压基本上落在夹断区上，使夹断区形成很强的电场，它完全可以把沟道中向漏极漂移的载流子拉向漏极，形成漏极电流。因为未被夹断的沟道上的电压基本保持不变，于是向漏极方向漂移的载流子也基本保持不变，管子呈恒流特性。 但是，如果再增加UDS达到BUDS时（BUDS称为击穿电压），进入夹断区的电子将被强电场加速而获得很大的动能，这些电子和夹断区内的原子碰撞发生链锁反应，产生大量的新生载流予，使ID急剧增加而出现击穿现象。 由此可见，结型场效应管的漏极电流ID受UGS和UDS的双重控制。 2、绝缘栅型场效应管（MOSFET） 具体分为： ① N沟道增强型 ② N沟道耗尽型 ③ P沟道增强型 ④ P沟道耗尽型 N沟道增强型 P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 金属铝 P N N G S D B 衬底引线 G S D B P N N G S D B ① 一般情况下，源