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清洗制绒培训课件 刘汉清 太阳能电池生产流程 硅片从切片工序到电池车间之间，要经历很多工序，在这些工序中，硅片的表面会附着部分的杂质和污物，这些杂质和污物会严重电池的性能，所以要对硅片进行表面清洗以去除这些杂质。 硅片在切割过程中会在表面形成大约10μm厚 的损伤层，这一层因为与硅片基体的状态已经 不同，基本上已经剥离于集体，会严重影响半 导体器件（太阳电池）的性能。清洗工序制绒 工艺就是利用硅片的这一层损伤层，通过硝酸 对其氧化制绒，形成高低不平的表面，大大增 加电池片表面的受光面积，减少反射，从而提 高太阳电池的转换效率。 晶体结构：金刚石结构（正四面体） C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类： 　 a.一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 b.另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。 硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。 　　 a. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成 金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 　　b. 用无害的小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表 面的金属离子，使之溶解于清洗液中。 　　c. 用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。 以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术 为此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。 SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除 在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。 1. SC-1清洗去除颗粒： ⑴ 目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去 除部分金属杂质 ⑵ 去除颗粒的原理： 　硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。 ⑶. 去除金属杂质的原理： ① 由于硅表面的氧化和腐蚀作用，硅片表面的金属杂质，将随腐蚀层而进入清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。 ② 由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应，生成氧化物的==能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上如：Al、Fe、Zn等便易附着在自然氧化膜上。而Ni、Cu则不易附着。 ③ Fe、Zn、Ni、Cu的氢氧化物在高PH值清洗液 Rena InTex工艺主要包括三部分： 硝酸+氢氟酸 　氢氧化钾 氢氟酸+盐酸  在制绒过程中，首先是硝酸在损伤层与缺陷处将硅片氧化，形成氧化硅，然后氢氟酸与氧化硅反应生长硅的络合物（H2SiF6）与水，这样去损伤层与制绒同时进行，从而缩短了工艺流程。?? 制绒之后的硅片经过KOH溶液去除硅片表面的多孔硅，再经过DI水冲洗去掉表面残留的碱液。?? 最后利用HF与HCl的混合溶液除去硅片表面的各种金属离子等杂质，并用DI水冲洗酸性表面，最后用压缩空气将硅片表面吹干。 腐蚀槽结构 上料→混合液HNO3、HF、DI腐蚀→风刀1→DI水冲洗→KOH腐蚀→风刀2→DI水冲洗→HCI、HF清洗→风刀3→DI水冲洗→压缩空气风干→下料 工艺材料：合格的多晶硅片、HF（40%，电子级）、KOH（50%,电子级）、HNO3（65%，电子级）、DI水（大于15 MΩ·cm）、压缩空气（6 bar，除油，除水，除粉尘）、冷却水（4 bar）等。 工艺准备 ?? 1、工艺洁净管理：操作时需戴口罩、洁净手套，并保持室内正压，严禁随便开启门窗,以保持室内洁净度。 ?? 2、设备准备:确认设备能正常运行,工艺温度、冷却水、压缩空气等压力及流量正常。 ?? 3、原材料准备:硅片需经抽检合格后方可投入，将不合格硅片挑拣出来。常见的不合格片包括：崩边、缺角、裂纹、锯痕、手印、孔洞、微晶、含氮化硅的硅片等。 ?? 4、工装工具准备：备齐用于工艺生产的PVC手套、口罩、防护眼罩、防护面罩、防护套袖、防护服、防酸碱手套、防酸碱胶鞋等。 ?? 5、工艺准备：确认设定的制绒工艺名称及参数正确无误。 去离子水压力为6bar、压缩空气压力为6bar、排风压力为0.01bar环境温度：25±3℃相对湿度：40%～60% ，无凝露 腐蚀槽温度：6-9℃槽温度：8℃左右 1、工装工具准备：备齐用于工艺生产的PVC手套、口罩、防护眼罩、防护面罩、防护套袖、防