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化学水浴法制备CIGS薄膜太阳电池缓冲层CdS薄膜的研究 曹章轶 上海空间电源研究所 2010年11月19日 报告提纲 一、研究背景 二、研究内容 三、在两种溶液体系中制备CdS薄膜的研究 四、在柔性衬底CIGS太阳电池中的应用 五、结论 一、研究背景 二、研究内容 在醋酸镉溶液体系和硫酸镉溶液体系中采用化学水浴法沉积CdS薄膜，对CdS薄膜的表面形貌、晶体结构、光透过率和成份等特性进行研究。 两种溶液体系中沉积的CdS薄膜分别应用于聚酰亚胺衬底CIGS薄膜太阳电池。 三、在两种溶液体系中制备CdS薄膜的研究 三、在两种溶液体系中制备CdS薄膜的研究 三、在两种溶液体系中制备CdS薄膜的研究 三、在两种溶液体系中制备CdS薄膜的研究 薄膜为n型半导体。 一般认为若S/Cd原子比在0.85~0.95之间， 则CdS薄膜的电阻率在104Ω·cm~105Ω·cm， 方块电阻大约为109Ω/□~1010Ω/□。 四、在柔性衬底CIGS太阳电池中的应用 五、结论 在醋酸镉溶液体系和硫酸镉溶液体系中CBD法沉积CdS薄膜。薄膜的厚度为60nm，无微孔排列致密，光透过率高，S/Cd原子比约为0.94。相对而言，醋酸镉溶液体系沉积的CdS薄膜的择优生长更明显，薄膜表面的白色沉淀颗粒较少，禁带宽度较小。 采用两种溶液体系中沉积的CdS薄膜作为聚酰亚胺衬底CIGS薄膜太阳电池的缓