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半导体光电子学课程报告 ——半导体激光器 1、半导体的基本结构 半导体激光器是以直接带隙半导体材料构成的p-n 结或p-i-n结为工作物质的一种小型化激光器。目前已制成激光器的半导体材料有砷化镓( GaAs) 、砷化铟( InAs) 、锑化铟( InSb)等等几十种材料，在半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式、光泵式和高能电子束激励式。绝大多数半导体激光器的激励方式是电注入,即给p-n 结加正向电压,以使在结平面区域产生受激发射,因此半导体激光器又称为半导体激光二极管。 半导体激光器的使用 2.1选择原因 从第一个半导体激光器发明以来，使用波长范围从红外、红光到蓝绿光。通过各种不同的结合方式使得激光器的激射阈值电流由几百mA降到几十mA ,直到亚mA ,其寿命达到上百万小时。从最初的低温(77K) 下运转发展到室温下连续工作, 输出功率由几毫瓦提高到千瓦级(阵列器件)。同时还具备效率高、体积小、重量轻、结构简单、能将电能直接转换为激光能、功率转换效率高(已达10 %以上,最大可达50 %) ， 便于直接调制、省电等等，正是这些优点，在选择激光器运用于其他方面时，半导体激光器更优于其他类型的激光器。 2.2使用要求 在使用半导体激光器时，最重要是光源的选择，能产生想干辐射的光源要满足三个条件： 实现有源区（激励介质）载流子的粒子数反转； 以半导体