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深能级瞬态谱 深能级瞬态谱（Deep Level Transient Spectroscopy）是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手 段。根据半导体P-N 结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏度的实验 方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量） 分布的DLTS 谱。 　　DLS-83D集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析，可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布，也可用于光伏太阳能电池领域中，分析少子寿命和转化效率衰减的关键性杂质元素和杂质元素的晶格占位，确定是何种掺杂元素和何种元素占位影响少子寿命。该仪器测量界面态速度快，精度高，是生产和科研中可广为应用的测试技术。 主要特点 探测灵敏度高 可直接求出界面态按能量的分布 可分别测定界面态能级和体内深能级 可分别测定俘获截面与能量、温度的关系 性能指标 温度范围：20K ~ 320K 温度稳定性：0.1K 温度精度： 1K?或 1% 测试电容：1 ~ 10000pF 电容灵敏度：2*10-5pF 相角稳定性：0.001° 检测灵敏度：1010atoms/cm3 应用领域 检测Si、ZnO、GaN等半导体材料中微量杂质、缺陷的深能级及界面态 ? 产品型号：DLTS ? 参考价格：面议 ? 厂商性质：一般经销商 ? 产????地：美国 ? 3I 指 数：404 仪器简介：美国高分辨深能级瞬态谱仪是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段！测试功能：电容模式、定电容模式、电流模式、（双关联 模式）、光激发模式、FET分析、MOS分析、等温瞬态谱、Trap profiling、俘获截面测量、I/V,I/V(T) 、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子诱导瞬态谱、DLOS；测试根据半导体P-N结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C~t）技术和深能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏 度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能 量）分布的DLTS谱，集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析，可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布。也可用于光伏太阳能电池领域中，分析少子寿命和转化效率衰减的关键性杂质元素和杂质元素的晶格占位，确定是何种掺杂元素和何种元素占位影响少子寿命。感谢中国科学院宁波材料研究所,国家硅材料深加工产品质量监督检验中心 成为此设备的专业用户！！此设备在全球用户众多，比欧洲设备性能价格比高，是研究材料深能级领域的理想工具！！系统配置:DLTS数据采集及分析软件 ?(DLTS, ODLTS, DDLTS)Boonton 7200型快速电容测试器自动电容零点界面数据采集卡及中断箱?ODLTS穿导件机柜安装硬件及电缆设备机柜GPIB 接口卡电脑是双核, 2GB 内存, 19”显示器. USB 接口, CD书写用于数据传输.可调节探针(2)闭环液氦制冷机 (25-700K)温度控制器?电容测试器指标:型号: Boonton 7200电容零点界面: Yes全自动电容补偿: Yes全自动范围设置: Yes响应时间: ~25μsec补偿范围: 256pF测试频率: 1MHz测试信号级别: 15, 30, 50, 100 mV电容范围: 2000pF灵敏度: 1fF电压范围: +100V to –100V (Boonton)????????? +10V to –10V (数据采集卡)灵敏度:?? ?1mV (电压小于 20V时), 10mV (电压大于 20V时)????????? 0.3mV (数据采集卡)脉冲宽度: ?15ms to 0.1sec (Boonton内置偏压)?????????? 5μs to 0.1sec (数据采集卡)脉冲幅度: ??到 200V, slew rate 20V/ms (Boonton)??????????? 到 20V, slew rate of 20V/μs (数据采集卡)电流:????? ?5mA?数据采集卡瞬时记录:采样速率: 可至 1μs. 一般使用 50μs ?采样次数: 10,000.记录分辨率: 50ns暂时分辨率, 优于 50aF 电容分辨率过滤: 全自动检测及正弦噪音消除 Deep Level T