《模拟电子技术习题解答课后同步以修改.docVIP

习题1 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。 2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 3、在N型半导体中，为多数载流子， 为少数载流子。二．判断题 1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ） 2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（ ） 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（ ） 4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ ） 5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ ） 6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（ ） 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（ ） 三．简答题 1、PN结的伏安特性有何特点？ 答：? 2、什么是PN结的反向击穿？PN结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？ 答：3、PN结电容是怎样形成的？和普通电容相比有什么区别？习题2 一、填空题 1、半导体二极管当正偏时，势垒区 ，扩散电流 漂移电流。 2、 在常温下，硅二极管的门限电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V；锗二极管的门限电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V。 3、在常温下，发光二极管的正向导通电压约 ， 硅二极管的门限电压；考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在 mA。 4、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为二极管。请写出这种管子四种主要参数，分别是 、 、 和 。 二、判断题 1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ ）。 a. 多数载流子扩散形成 b. 多数载流子漂移形成 c. 少数载流子漂移形成 d. 少数载流子扩散形成 2、PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（ ）。 a. 其反向电流增大 b. 其反向电流减小 c. 其反向电流基本不变 d. 其正向电流增大 3、稳压二极管是利用PN结的（ ）。 a. 单向导电性 b. 反偏截止特性 c. 电容特性 d. 反向击穿特性 4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（ ）。 a. 10μA b. 15μA c. 20μA d. 40μA 5、变容二极管在电路中使用时，其PN结是（ ）。 a. 正向运用 b. 反向运用 三、问答题 1、温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，这是为什么？ 答：。 2、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 答：3、有A、B两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和，在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA，你认为哪一个管的性能较好？ 答： 4、利用硅二极管较陡峭的正向特性，能否实现稳压？若能，则二极管应如何偏置？ 答： 5、什么是齐纳击穿？击穿后是否意味着PN结损坏？ 答：2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设 ） 解： 2.1.2 写出题图2.1.2所示各电路的输出电压值，设二极管均为理想二极管。 解： 2.1.3 重复题2.1.2，设二极管均为恒压降模型，且导通电压VD＝0.7V。 解：2.1.4 设题图2.1.4中的二极管均为理想的（正向可视为短路，反向可视为开路），试判断其中的二极管是导通还是截止，并求出、两端电压。 解：2.1.5 在用万用表的三个欧姆档测量某二极管的正向电阻时，共测得三个数据；，试判断它们各是哪一档测出的。 解： 2.1.6 电路如题图2.1.6所示，已知vi＝6sinωt(v)，试画出vi与vo的波形，并标出幅值。分别使用二极管理想模型和恒压降模型（VD＝0.7V）。 解：2.1.7 电路如题图2.1.7所示，已知vi＝6sinωt (V)，二极管导通电压VD＝0.7V。试画出vi与vO的波形，并标出幅